[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物。本发明通过引入一种嵌段聚合物对铅系量子点进行表面修饰改性，从而在铅系量子点的表面形成一层由所述嵌段聚合物组成的包覆层。所述嵌段聚合物一方面有利于铅系量子点的稳定性，减弱铅系量子点的团簇，降低铅系量子点之间的Dexter能量转移，减少能量的损耗；另一方面，所述嵌段聚合物的疏水性及其包覆层结构可以减弱水氧的侵蚀，对量子点发光二极管的发光效率和使用寿命均有提升。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点(QDs)材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。

目前研究的QLED通常采用三明治结构，器件中包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极。其中，量子点发光层是由一层纳米颗粒形成的，目前存在的问题是：若纳米颗粒浓度过低，则无法形成一层致密的量子点层，即出现孔洞，会导致漏电流的发生；若纳米颗粒浓度过高，则出现纳米颗粒的堆积，即有团簇生成，会导致Dexter能量转移(Dexter能量转移属于非辐射能量转移)，降低器件的发光效率；除此之外，水和氧对量子点发光层的侵蚀会破坏量子点的稳定性，从而造成器件发光效率和使用寿命的下降。

因此，现有技术还有待于改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管发光效率较低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，其中，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阳极衬底；

在所述阳极衬底表面制备量子点发光层，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物；

在所述量子点发光层表面制备阴极，制得所述量子点发光二极管；

或者，提供阴极衬底；

在所述阴极衬底表面制备量子点发光层，所述量子点发光层材料包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物；

在所述量子点发光层表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管。

有益效果：本发明提供的量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，所述量子点发光层包括铅系量子点以及包覆在所述铅系量子点表面的嵌段聚合物。本发明通过在铅系量子点中引入一种嵌段聚合物对量子点纳米颗粒进行表面修饰改性，从而在铅系量子点的表面形成一层由所述嵌段聚合物组成的包覆层。所述嵌段聚合物一方面有利于铅系量子点的稳定性，减弱铅系量子点的团簇，降低了铅系量子点之间的Dexter能量转移，减少了能量的损耗，从而可有效提高量子点发光二极管的发光效率；另一方面，所述嵌段聚合物的疏水性加上包覆层这种结构的存在，可以减弱水氧的侵蚀，对量子点发光二极管的发光效率和使用寿命均有提升。

附图说明

图1为本发明一种正型结构量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。

图2为本发明一种反型结构量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。