[发明专利]光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质

权利要求书

1.一种光学邻近矫正方法，其特征在于，包括：

提供原始图形；

获取所述原始图形中的刻蚀窗口；

获取所述刻蚀窗口边界内侧的膜层，作为内侧膜层，以及获取所述刻蚀窗口边界外侧的膜层，作为外侧膜层；

判断所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料是否相同；

当所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料不同时，将所述内侧膜层和外侧膜层的边界标记为待处理边界；

沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向，对所述待处理边界进行扩展，获得图形。

2.如权利要求1所述的光学邻近矫正方法，其特征在于，光刻工艺具有套刻偏移量最大值；

对所述待处理边界进行扩展的尺寸大于或等于所述套刻偏移量最大值。

3.如权利要求2所述的光学邻近矫正方法，其特征在于，沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向，对所述待处理边界进行扩展的尺寸大于或等于所述套刻偏移量最大值，且小于或等于所述外侧膜层尺寸的二分之一。

4.如权利要求1所述的光学邻近矫正方法，其特征在于，光刻工艺为正性光刻工艺，获取所述原始图形中的刻蚀窗口的步骤包括：获取所述原始图形中的受光区域；

或者，光刻工艺为负性光刻工艺，获取所述原始图形中的刻蚀窗口的步骤包括：获取所述原始图形中的遮光区域。

5.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图形的形成方法包括如权利要求1-4任一项所述的光学邻近矫正方法。

6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述刻蚀窗口用于定义掩膜开口的图形，所述掩膜开口用于刻蚀半导体结构中的浮栅层形成源区开口；

所述半导体结构包括：基底，包括多个分立的单元阵列区，用于形成存储单元，所述基底还包括沿列向位于所述单元阵列区之间的选择栅区、以及沿列向位于所述单元阵列区和相邻一侧选择栅区之间的第一过渡区；多条沿列向延伸且沿行向排布的第一隔离结构，位于所述单元阵列区、选择栅区和第一过渡区的基底中；第二隔离结构，位于所述第一过渡区和选择栅区的基底中，且在所述第一过渡区和选择栅区上，所述第二隔离结构沿行向与第一隔离结构间隔排布；所述浮栅层位于所述基底上；

所述源区开口沿列向贯穿所述单元阵列区的第一隔离结构之间的部分浮栅层，所述源区开口沿列向还延伸至所述第一过渡区和相邻的部分选择栅区；在所述选择栅区上，所述源区开口位于所述第一隔离结构和第二隔离结构之间。

7.如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述第一隔离结构包括：主延伸部，位于所述单元阵列区；偏移延伸部，位于所述单元阵列区相邻一侧选择栅区，所述主延伸部和偏移延伸部沿列向延伸，所述偏移延伸部相对于所述主延伸部沿行向朝第一侧偏移；过渡延伸部，所述过渡延伸部位于所述第一过渡区上且位于所述偏移延伸部与主延伸部之间。

8.权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述基底还包括沿列向位于所述单元阵列区和相邻另一侧选择栅区之间的第二过渡区；

所述第一过渡区和相邻的选择栅区构成第一选择栅单元，所述第二过渡区和相邻的选择栅区构成第二选择栅单元，所述第二选择栅单元和第一选择栅单元关于所述单元阵列区中心对称。

9.权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，光刻工艺为正性光刻工艺，所述刻蚀窗口为受光区域；或者，光刻工艺为负性光刻工艺，所述刻蚀窗口为遮光区域。