[发明专利]光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质

说明书

一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质，所述光学邻近矫正方法包括：提供原始图形；获取所述原始图形中的刻蚀窗口；获取所述刻蚀窗口边界内侧的膜层，作为内侧膜层，以及获取所述刻蚀窗口边界外侧的膜层，作为外侧膜层；判断所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料是否相同；当所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料不同时，将所述内侧膜层和外侧膜层的边界标记为待处理边界；沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向，对所述待处理边界进行扩展，获得图形。本发明实施例有利于增大光刻和刻蚀工艺的窗口，降低出现栅栏缺陷的几率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质。

背景技术

集成电路(IC)技术不断得到提高，这种提高通常涉及按比例缩小器件的几何尺寸，以实现更低的制造成本、更高的器件集成密度、更高的速度以及更好的性能。

光刻工艺是集成电路制造中最关键的工艺之一。光刻工艺能够将图形从掩膜版中转移至晶圆表面，以形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光、显影等步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中的透光区域照射至涂覆有光刻胶的晶圆上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案至光刻胶上的图形转移。在进行光刻工艺后，通常还需要对光刻后的晶圆进行刻蚀，也就是说，基于光刻胶层所形成的光刻图案对晶圆进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至晶圆上，以形成满足设计要求的器件结构。

随着集成电路向更高集成度和更小尺寸的方向发展，集成电路的图形越来越复杂，光刻和刻蚀的质量直接影响到集成电路的成品率和电路的性能。

但是，目前光刻和刻蚀工艺仍具有较大的挑战。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质，增大光刻和刻蚀工艺的窗口、降低出现栅栏缺陷的几率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近矫正方法，包括：提供原始图形；获取所述原始图形中的刻蚀窗口；获取所述刻蚀窗口边界内侧的膜层，作为内侧膜层，以及获取所述刻蚀窗口边界外侧的膜层，作为外侧膜层；判断所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料是否相同；当所述内侧膜层的材料和外侧膜层的材料不同时，将所述内侧膜层和外侧膜层的边界标记为待处理边界；沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向，对所述待处理边界进行扩展，获得图形。

可选的，光刻工艺具有套刻偏移量最大值；对所述待处理边界进行扩展的尺寸大于或等于所述套刻偏移量最大值。

可选的，沿着垂直于所述待处理边界且由所述内侧膜层指向外侧膜层的方向，对所述待处理边界进行扩展的尺寸大于或等于所述套刻偏移量最大值，且小于或等于所述外侧膜层尺寸的二分之一。

可选的，光刻工艺为正性光刻工艺，获取所述原始图形中的刻蚀窗口的步骤包括：获取所述原始图形中的受光区域；或者，光刻工艺为负性光刻工艺，获取所述原始图形中的刻蚀窗口的步骤包括：获取所述原始图形中的遮光区域。

相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版，所述掩膜版的图形的形成方法包括由本发明实施例提供的光学邻近矫正方法。