[发明专利]一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011188665.1 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112242370A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 周佳炜;徐德胜 | 申请（专利权）人： | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L23/482;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人： | 刘莉梅 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 扇出型 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，包括：
第一塑封层，所述第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，所述通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；
封装于所述第一塑封层内的MOSFET，位于所述MOSFET一侧的第一I/O口和位于所述MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于所述第一塑封层；
导电柱，填充于所述通孔内；
第一电连接结构，位于所述第一塑封层的一侧并与所述导电柱的一端以及所述第一I/O口连接；
第二电连接结构，位于所述第一塑封层的另一侧并与所述导电柱的另一端以及所述第二I/O口连接。
2.根据权利要求1所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述MOSFET上方设有与所述第一I/O口电连接的金属块，所述第一I/O口通过所述金属块与所述第一电连接结构连接。
3.根据权利要求2所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构包括：
位于所述第一塑封层靠近所述第一I/O口一侧的第一种子层和位于所述第一种子层上的第一重布线层，所述第一种子层分别与所述导电柱和金属块电连接；
位于所述第一重布线层上的PAD层和位于所述PAD层上的锡层。
4.根据权利要求3所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构还包括第二塑封层，所述第二塑封层覆盖外露于所述第一重布线层的第一塑封层以及外露于所述PAD层的所述第一重布线层。
5.根据权利要求1所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构包括：
位于所述第一塑封层靠近所述第二I/O口一侧的第二种子层和位于所述第二种子层上的铜柱，所述第二种子层分别与所述导电柱和所述第二I/O口电连接；
第三塑封层，覆盖外露于所述第二种子层的所述第一塑封层和所述MOSFET；
位于所述第三塑封层上并覆盖所述铜柱的第三种子层和位于所述第三种子层上的第二重布线层。
6.根据权利要求5所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构还包括第四塑封层，所述第四塑封层覆盖所述第二重布线层和外露于所述第二重布线层的所述第三塑封层。
7.一种MOSFET扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、提供MOSFET及载板，将所述MOSFET贴于所述载板上，并在所述MOSFET上方的第一I/O口位置植入金属块；
S20、对所述MOSFET进行塑封，形成包覆所述金属块和所述MOSFET的第一塑封层，对所述第一塑封层研磨减薄处理以使所述金属块外露；
S30、拆键合，并针对所述第一塑封层的同一个位置由所述第一塑封层的双面分别进行激光开孔，形成由两个相连通的锥形孔形成的通孔；
S40、在所述通孔内制作导电柱、在所述第一塑封层靠近所述金属块的一侧制作与所述导电柱的一端和所述金属块电连接的第一电连接结构以及在所述第一塑封层远离所述金属块的一侧制作与所述导电柱的另一端和位于所述MOSFET另一侧的第二I/O口电连接的第二电连接结构。
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