[发明专利]一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法，其中，MOSFET扇出型封装结构包括：第一塑封层，第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；封装于第一塑封层内的MOSFET，位于MOSFET一侧的第一I/O口和位于MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于第一塑封层；导电柱，填充于通孔内；第一电连接结构，位于第一塑封层的一侧并与导电柱的一端以及第一I/O口连接；第二电连接结构，位于第一塑封层的另一侧并与导电柱的另一端以及第二I/O口连接。本发明通过激光双面钻锥形孔并形成导电柱，从而将MOSFET背面的线路层引至正面，提高了MOSFET电气连接的稳定性。

技术领域

本发明涉及扇出型封装技术领域，具体涉及一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。

MOSFET具有双面I/O接口，在封装过程中往往需要在塑封材料中制作导电柱，通过导电柱实现双面I/O接口的电性引出。传统的导电柱的制作方法为采用激光在塑封材料的一侧开孔位，然后在孔位表面制作种子层以及在孔位内通过电镀制作导电柱。采用激光在塑封材料一侧开孔再制作种子层和导电柱时，由于孔位的结构限制，导致溅射的种子层厚度不均匀，影响MOSFET电气连接的稳定性，降低了MOSFET封装结构的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法，可有效提高MOSFET电气连接的稳定性，并提升MOSFET封装结构的良率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供一种MOSFET扇出型封装结构，包括：

第一塑封层，所述第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，所述通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；

封装于所述第一塑封层内的MOSFET，位于所述MOSFET一侧的第一I/O口和位于所述MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于所述第一塑封层；

导电柱，填充于所述通孔内；

第一电连接结构，位于所述第一塑封层的一侧并与所述导电柱的一端以及所述第一I/O口连接；

第二电连接结构，位于所述第一塑封层的另一侧并与所述导电柱的另一端以及所述第二I/O口连接。

作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述MOSFET上方设有与所述第一I/O口电连接的金属块，所述第一I/O口通过所述金属块与所述第一电连接结构连接。

作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述第一电连接结构包括：

位于所述第一塑封层靠近所述第一I/O口一侧的第一种子层和位于所述第一种子层上的第一重布线层，所述第一种子层分别与所述导电柱和金属块电连接；

位于所述第一重布线层上的PAD层和位于所述PAD层上的锡层。

作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述第一电连接结构还包括第二塑封层，所述第二塑封层覆盖外露于所述第一重布线层的第一塑封层以及外露于所述PAD层的所述第一重布线层。

作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述第二电连接结构包括：

位于所述第一塑封层靠近所述第二I/O口一侧的第二种子层和位于所述第二种子层上的铜柱，所述第二种子层分别与所述导电柱和所述第二I/O口电连接；