[发明专利]一种显示基板及其制作方法

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

基底；

有机衬底层，设置于所述基底上；

吸收层，设置于所述有机衬底层上；

薄膜晶体管层，设置于所述吸收层上，所述薄膜晶体管层包括由激光退火工艺形成的结晶半导体层；

所述吸收层用于吸收在所述激光退火工艺中透过所述薄膜晶体管层照射到所述吸收层的激光；

所述薄膜晶体管层包括：

包括源极区、漏极区和沟道区的所述结晶半导体层；

设置于所述结晶半导体层上的栅极绝缘层；

设置于所述栅极绝缘层上的栅极层；

设置于所述栅极层上的保护层；

所述吸收层的正投影与所述结晶半导体层的正投影完全不重合。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述吸收层的材质包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述吸收层与所述薄膜晶体管层之间还包括缓冲层，用于防止杂质扩散到所述薄膜晶体管层。

4.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底上制备有机衬底层；

在所述有机衬底层上制备吸收层，所述吸收层用于吸收照射到其表面的激光；

在所述吸收层上制备薄膜晶体管层，且所述薄膜晶体管层的制备工艺中包含激光退火工艺；

在所述吸收层上制备薄膜晶体管层包括：

在所述吸收层上形成非晶硅层，通过第一激光退火工艺将所述非晶硅层转变为多晶硅层，并图案化所述多晶硅层；

对图案化后的所述多晶硅层进行掺杂；

通过第二激光退火工艺对所述多晶硅层进行活化，以形成源极区、漏极区与沟道区；

在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、保护层、源/漏极层、钝化层；

所述吸收层划分为第一吸收区与第二吸收区，所述第一吸收区与图案化后的所述多晶硅层的正投影重合，

所述在所述有机衬底层上制备吸收层还包括，图案化所述吸收层以去除所述第一吸收区。

5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，其特征在于，在图案化所述吸收层之后，还包括：

在所述吸收层上制作缓冲层，用于平坦化的同时防止杂质扩散到所述薄膜晶体管层。

6.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，其特征在于，

所述第二激光退火工艺所采用的激光能量小于所述第一激光退火工艺所采用的激光能量。