[发明专利]一种显示基板及其制作方法

说明书

本发明提供了一种显示基板及其制作方法，显示基板包括基底，设置于基底上的有机衬底层，设置于有机衬底层上的吸收层，以及设置于所述吸收层上的薄膜晶体管层；所述薄膜晶体管层包括由激光退火工艺形成的结晶半导体层，所述吸收层用于吸收在所述激光退火工艺中透过所述薄膜晶体管层照射到所述吸收层的激光。通过在有机衬底层与薄膜晶体管层间设置吸收层，可以将激光退火工艺形成结晶半导体层的过程中，照射到吸收层上的激光进行吸收，避免有机衬底层吸收激光发生劣化变质。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板及其制作方法。

背景技术

在制作显示屏的过程中，通常会在衬底上制作包含薄膜晶体管的显示器件，而在薄膜晶体管的制作过程中，需要利用ELA(Excimer Laser Annealing，准分子激光退火)工艺使掺杂到多晶硅层中的杂质活化，形成源极区、漏极区与沟道区。然而，现有的衬底材料一般会选用有机材料来作为衬底，采用激光活化时，激光会照射到有机衬底上，会使得衬底层吸收激光发生变质，导致薄膜晶体管基板良率下降，增加了生产成本。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种显示基板及其制作方法。

一方面，保护一种显示基板，包括：

基底；

有机衬底层，设置于所述基底上；

吸收层，设置于所述有机衬底层上；

薄膜晶体管层，设置于所述吸收层上，所述薄膜晶体管层包括由激光退火工艺形成的结晶半导体层；

所述吸收层用于吸收在所述激光退火工艺中透过所述薄膜晶体管层照射到所述吸收层的激光。

进一步地，所述薄膜晶体管层包括：

包括源极区、漏极区和沟道区的所述结晶半导体层；

设置于所述结晶半导体层上的栅极绝缘层；

设置于所述栅极绝缘层上的栅极层；

设置于所述栅极层上的保护层；

所述吸收层划分有第一吸收区和除第一吸收区以外的第二吸收区，所述第一吸收区的正投影与所述结晶半导体层的正投影重合，所述第二吸收区的材质包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅中的至少一种。

进一步地，所述薄膜晶体管层包括：

包括源极区、漏极区和沟道区的所述结晶半导体层；

设置于所述结晶半导体层上的栅极绝缘层；

设置于所述栅极绝缘层上的栅极层；

设置于所述栅极层上的保护层；

所述吸收层的正投影与所述结晶半导体层的正投影完全不重合，所述吸收层的材质包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅中的至少一种。

进一步地，所述第二吸收区靠近所述薄膜晶体管层的表面包括微结晶硅。

进一步地，在所述吸收层与所述薄膜晶体管层之间还包括缓冲层，用于防止杂质扩散到所述薄膜晶体管层。

另一方面，保护一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底上制备有机衬底层；

在所述有机衬底层上制备吸收层，所述吸收层用于吸收照射到其表面的激光；

在所述吸收层上制备薄膜晶体管层，且所述薄膜晶体管层的制备工艺中包含激光退火工艺。