[发明专利]变压器式单刀双掷开关及射频集成电路

权利要求书

1.一种变压器式单刀双掷开关，其特征在于，包括：

输入端口(P1)、第一输出端口(P2)以及第二输出端口(P3)；

变压器电路，所述变压器电路包括由第一电感线圈(L1)以及第二电感线圈(L2)组成的变压器(TF)，所述变压器电路用于隔离所述输入端口(P1)、所述第一输出端口(P2)以及所述第二输出端口(P3)；

晶体管控制电路，所述晶体管控制电路包括第一控制电路、第二控制电路以及第三控制电路，所述第一电感线圈(L1)连接在所述输入端口(P1)与所述第三控制电路之间，所述第二电感线圈(L2)连接在所述第一输出端口(P2)与所述第二输出端口(P3)之间，所述第一控制电路连接在所述第一输出端口(P2)与所述第二控制电路之间，所述第二控制电路连接在所述第二输出端口(P3)与所述第一控制电路之间，所述晶体管控制电路基于所述第一控制电路的控制电平、所述第二控制电路的控制电平以及所述第三控制电路的控制电平，实现所述输入端口(P1)与所述第一输出端口(P2)导通，或者实现所述输入端口(P1)与所述第二输出端口(P3)导通；同时控制所述第一电感线圈(L1)的负载。

2.根据权利要求1所述的变压器式单刀双掷开关，其特征在于，还包括：

控制端口(VC)，所述控制端口(VC)与所述第一控制电路、所述第二控制电路以及所述第三控制电路连接，所述控制端口(VC)用于为所述晶体管控制电路提供所述第一控制电路的控制电平、所述第二控制电路的控制电平以及所述第三控制电路的控制电平；

反相器(INV)，所述反相器(INV)用于连接所述控制端口(VC)与所述第二控制电路，以及所述控制端口(VC)与所述第三控制电路。

3.根据权利要求2所述的变压器式单刀双掷开关，其特征在于，所述第一控制电路包括第一晶体管(M1)、第一栅极偏置电阻(R1)以及所述第一晶体管(M1)的源极间的第一外接电阻(Rsub1)，所述第一栅极偏置电阻(R1)连接在所述第一晶体管(M1)的栅极与所述控制端口(VC)之间，所述第一晶体管(M1)的漏极与所述第一输出端口(P2)相连，所述第一晶体管(M1)的源极接地，所述第一外接电阻(Rsub1)的一端与所述第一晶体管(M1)的衬底连接，所述第一外接电阻(Rsub1)的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的变压器式单刀双掷开关，其特征在于，所述第二控制电路包括第二晶体管(M2)、第二栅极偏置电阻(R2)以及所述第二晶体管(M2)的源极间的第二外接电阻(Rsub2)，所述第二栅极偏置电阻(R2)连接在所述第二晶体管(M2)的栅极与所述反相器(INV)的输出端之间，所述第二晶体管(M2)的漏极与所述第二输出端口(P3)相连，所述第二晶体管(M2)的源极接地，所述第二外接电阻(Rsub2)的一端与所述第二晶体管(M2)的衬底连接，所述第二外接电阻(Rsub2)的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的变压器式单刀双掷开关，其特征在于，所述第三控制电路包括第三晶体管(M3)、第三栅极偏置电阻(R3)以及所述第三晶体管(M3)的源极间的第三外接电阻(Rsub3)，所述第三栅极偏置电阻(R3)连接在所述第三晶体管(M3)的栅极与所述反相器(INV)的输出端之间，所述第三晶体管(M3)的漏极与所述第一电感线圈(L1)相连，所述第三晶体管(M3)的源极接地，所述第三外接电阻(Rsub3)的一端与所述第三晶体管(M3)的衬底连接，所述第三外接电阻(Rsub3)的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的变压器式单刀双掷开关，其特征在于，所述控制端口(VC)提供第一电平，所述第一晶体管(M1)开关断开，所述第二晶体管(M2)以及所述第三晶体管(M3)开关导通，所述输入端口(P1)与所述第一输出端口(P2)导通，且所述输入端口(P1)与所述第二输出端口(P3)断开。