[发明专利]变压器式单刀双掷开关及射频集成电路有效

专利信息
申请号: 202011192555.2 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112468130B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 权星;詹劲松;孙璐;闫志攀;刘承鑫 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王海栋
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 变压器 单刀 开关 射频 集成电路
【说明书】:

发明公开了一种变压器式单刀双掷开关,包括:输入端口、第一输出端口以及第二输出端口;变压器电路,变压器电路包括由第一电感线圈以及第二电感线圈组成的变压器,变压器电路用于隔离输入端口、第一输出端口以及第二输出端口;晶体管控制电路,晶体管控制电路包括第一控制电路、第二控制电路以及第三控制电路,晶体管控制电路基于第一控制电路的控制电平以及第二控制电路的控制电平,实现输入端口与第一输出端口导通,或者实现输入端口与第二输出端口导通;晶体管控制电路基于第三控制电路的控制电平,控制第一电感线圈的负载。本发明提供的变压器式单刀双掷开关实现了在两种不同的工作状态下均具有低插入损耗且高隔离度的电路性能。

技术领域

本发明属于射频集成电路领域,具体涉及一种变压器式单刀双掷开关及射频集成电路。

背景技术

随着毫米波集成电路的发展,在毫米波集成电路中,开关器件常应用于射频收发机中,用于控制接收和发射状态的切换。插入损耗、隔离度以及线性度是衡量射频集成开关的重要参数,通常需要设计出低插入损耗且高隔离度的开关。

然而,现如今的毫米波集成开关大多采用PIN二极管开关或固态FET开关,并且为了追求高隔离度,往往采用多个开关并联的结构,但开关数目的增加会带来过多的插入损耗。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种变压器式单刀双掷开关及射频集成电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

第一方面,本发明实施例提供一种变压器式单刀双掷开关,包括:

输入端口、第一输出端口以及第二输出端口;

变压器电路,所述变压器电路包括由第一电感线圈以及第二电感线圈组成的变压器,所述变压器电路用于隔离所述输入端口、所述第一输出端口以及所述第二输出端口;

晶体管控制电路,所述晶体管控制电路包括第一控制电路、第二控制电路以及第三控制电路,所述第一电感线圈连接在所述输入端口与所述第三控制电路之间,所述第二电感线圈连接在所述第一输出端口与所述第二输出端口之间,所述第一控制电路连接在所述第一输出端口与所述第二控制电路之间,所述第二控制电路连接在所述第二输出端口与所述第一控制电路之间,所述晶体管控制电路基于所述第一控制电路的控制电平、所述第二控制电路的控制电平以及所述第三控制电路的控制电平,实现所述输入端口与所述第一输出端口导通,或者实现所述输入端口与所述第二输出端口导通;同时控制所述第一电感线圈的负载。

可选的,还包括:

控制端口,所述控制端口与所述第一控制电路、所述第二控制电路以及所述第三控制电路连接,所述控制端口用于为所述晶体管控制电路提供所述第一控制电路的控制电平、所述第二控制电路的控制电平以及所述第三控制电路的控制电平;

反相器,所述反相器用于连接所述控制端口与所述第二控制电路,以及所述控制端口与所述第三控制电路。

可选的,所述第一控制电路包括第一晶体管、第一栅极偏置电阻以及所述第一晶体管的源极间的第一外接电阻,所述第一栅极偏置电阻连接在所述第一晶体管的栅极与所述控制端口之间,所述第一晶体管的漏极与所述第一输出端口相连,所述第一晶体管的源极接地,所述第一外接电阻的一端与所述第一晶体管的衬底连接,所述第一外接电阻的另一端接地。

可选的,所述第二控制电路包括第二晶体管、第二栅极偏置电阻以及所述第二晶体管的源极间的第二外接电阻,所述第二栅极偏置电阻连接在所述第二晶体管的栅极与所述反相器的输出端之间,所述第二晶体管的漏极与所述第二输出端口相连,所述第二晶体管的源极接地,所述第二外接电阻的一端与所述第二晶体管的衬底连接,所述第二外接电阻的另一端接地。

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