[发明专利]微机电系统及其制造方法在审
申请号: | 202011194524.0 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112744779A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 陈扬哲;梁其翔;林振华;刘醇明;曾皇文;邓伊筌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 及其 制造 方法 | ||
本发明的实施例涉及一种微机电系统(MEMS)包括电路衬底,设置在电路衬底上方的第一MEMS结构以及设置在第一MEMS结构上方的第二MEMS结构。本发明的实施例还涉及制造微机电系统的方法。
技术领域
本发明的实施例涉及微机电系统及其制造方法。
背景技术
最近已经开发了微机电系统(MEMS)器件。MEMS器件包括使用半导体技术制造以形成机械部件和电气部件的器件。MEMS器件被实现在压力传感器、麦克风、致动器、镜相器、加热器和/或打印机喷嘴中。尽管用于形成MEMS器件的现有器件和方法通常已经足以满足其预期目的,但是它们不是在所有方面都完全令人满意。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种微机电系统,包括:电路衬底;第一微机电系统结构,设置在电路衬底上方;以及第二微机电系统结构,设置在第一微机电系统结构上方。
根据本发明的另一个方面,提供了一种微机电系统,包括:电路衬底;第一微机电系统结构,设置在电路衬底上方;第一绝缘层,设置在电路衬底与第一微机电系统结构之间;第二微机电系统结构,设置在第一微机电系统结构上方;第二绝缘层,设置在第一微机电系统结构和第二微机电系统结构之间;以及覆盖物,设置在第二微机电系统结构上方,其中:第一微机电系统结构包括用于检测在第一方向上的移动的电容传感器,以及第一微机电系统结构和第二微机电系统结构配置为检测在垂直于第一方向的第二方向上的移动。
根据本发明的又一个方面,提供了一种制造微机电系统的方法,包括:在设置在第一衬底上的第一介电层上形成用于第一微机电系统结构的第一微机电系统图案;经由第二介电层将第一微机电系统图案附接至电路衬底;在第一衬底中形成用于第二微机电系统结构的第二微机电系统图案;以及使用化学干蚀刻通过去除第一介电层的部分和第二介电层的部分来释放第一微机电系统图案和第二微机电系统图案。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1A示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的示意性截面图。图1B示出了根据本公开的实施例的第一MEMS结构的平面图,并且图1C示出了第二MEMS结构的平面图。
图2示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图3示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图4A示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。图4B示出了根据本公开的另一实施例的用于双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图5A、图5B和图5C示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段的示意性截面图。
图6示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图7示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图8示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图9示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图10示出了根据本公开的实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
图11示出了根据本公开实施例的双MEMS器件的制造操作的各个阶段之一的示意性截面图。
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