[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在限定有源区域的衬底中形成隔离结构；

在所述隔离结构上方形成第一栅极结构，并且在与所述第一栅极结构相邻的所述有源区域上方形成第二栅极结构；

形成覆盖层以覆盖所述第一栅极结构和位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的有源区域的一部分；

蚀刻位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的未被所述覆盖层覆盖的所述有源区域以形成凹槽；以及

在所述凹槽中形成外延半导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向交叉的第二方向上，以及

所述外延层沿着所述第二方向不接触所述隔离结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外延层不接触所述隔离结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每个包括多晶硅层、设置在所述多晶硅层上方的硬掩模层和侧壁间隔件，以及

所述覆盖层由与所述硬掩模层和所述侧壁间隔件不同的材料制成。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述外延半导体层之后，去除所述覆盖层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述隔离结构的边缘至所述有源区域上方的所述覆盖层的边缘的距离在从10nm至30nm的范围内。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

在围绕有源区域的衬底中形成隔离结构；

在所述隔离结构上方形成第一栅极结构，并且在所述有源区域上方形成第二栅极结构和第三栅极结构，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向交叉的第二方向上；

形成覆盖层以覆盖在第一方向上延伸的所述有源区域的边缘并且以覆盖所述隔离结构；

蚀刻未被所述覆盖层覆盖的所述有源区域，以在所述隔离结构和所述第二栅极结构之间形成第一凹槽，并且在所述第二栅极结构和所述第三栅极结构之间形成第二凹槽；以及

在所述第一凹槽中形成第一外延半导体层，并且在所述第二凹槽中形成第二外延半导体层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一外延层的体积小于所述第二外延层的体积。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。

10.一种半导体器件，包括：

隔离结构，形成在衬底中并且围绕有源区域；

第一栅极结构和第二栅极结构，设置在所述有源区域上方，以及伪栅极结构，设置在所述隔离结构上方，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述伪栅极结构在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向交叉的第二方向上；以及

第一源极/漏极外延层，设置在所述伪栅极结构和所述第一栅极结构之间，以及第二源极/漏极外延层，设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，

其中，所述第一外延层的体积小于所述第二外延层的体积。