[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂区、位于所述栅极结构和所述源漏掺杂区上的隔离层，以及位于所述隔离层上方的第一介质层；

图形化所述基底，形成仅暴露所述源漏掺杂区的第一沟槽；

以所述隔离层为停止层，在所述栅极结构的上方形成第二沟槽；

形成第一保护层，所述第一保护层至少保形覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽；

至少去除覆盖所述源漏掺杂区的顶面和所述栅极结构的顶面的所述第一保护层，暴露所述源漏掺杂区和所述栅极结构；

形成导电插塞，填充所述第一沟槽或所述第二沟槽，与所述源漏掺杂区或与所述栅极结构电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述以所述隔离层为停止层，在所述栅极结构的上方形成第二沟槽的步骤之前还包括：形成牺牲层，所述牺牲层至少填充所述第一沟槽，所述牺牲层的表面为平面；

所述以所述隔离层为停止层，在所述栅极结构的上方形成第二沟槽的步骤之后还包括：去除所述牺牲层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成牺牲层的步骤包括：

在所述第一沟槽内和所述基底上沉积牺牲层材料，形成牺牲层材料层；平坦化所述牺牲层材料层，形成牺牲层。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的顶面高于所述第一介质层的顶面。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层材料包括抗反射层材料。

6.如权利要求1-5任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述形成牺牲层的步骤之前，还包括：

形成第二保护层，所述第二保护层至少保形覆盖所述第一沟槽和所述源漏掺杂区；

所述至少去除覆盖所述源漏掺杂区的顶面和所述栅极结构的顶面的所述第一保护层的步骤还包括：

去除覆盖所述源漏掺杂区的顶面和所述栅极结构的顶面的所述第二保护层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层还覆盖未被刻蚀的所述第一介质层的顶面。

8.如权利要求1-5任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括第二介质层，所述第二介质层位于相邻的所述栅极结构之间、且位于所述隔离层的下方和所述源漏掺杂区的上方，所述第二介质层的材料与所述第一介质层的材料相同。

9.如权利要求1-5任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述形成导电插塞的步骤之前，还包括：

形成粘合层，所述粘合层至少保形覆盖所述第一沟槽的侧壁和底面，以及所述第二沟槽侧壁和底面。

10.如权利要求1-5任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的材料包括钨、铝或铜。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述粘合层的材料包括氮化钛或钛。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂区、位于所述栅极结构和所述源漏掺杂区上的隔离层，以及位于所述隔离层上方的第一介质层，所述基底上方开设有第一凹槽和第二凹槽。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一保护层，所述第一保护层至少保形覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括第二介质层，所述第二介质层位于相邻的所述栅极结构之间、且位于所述隔离层的下方和所述源漏掺杂区的上方，所述第二介质层的材料与所述第一介质层的材料相同。