[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上方的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂区、覆盖所述源漏掺杂区的表面的第一介质层以及位于相邻的所述源漏掺杂区之间的支撑层，所述支撑层的顶面高于或等于所述栅极结构的顶面；

刻蚀所述支撑层，得到剩余支撑层，所述剩余支撑层的顶面低于所述栅极结构的顶面；

形成第二介质层，所述第二介质层至少覆盖所述剩余支撑层，且所述第二介质层的顶面至少与所述第一介质层的顶面齐平，所述第二介质层的材料与所述第一介质层的材料相同；

至少去除所述源漏掺杂区的顶面的上方的所述第一介质层和所述第二介质层，以及所述剩余支撑层上方的所述第二介质层，暴露所述源漏掺杂区，形成第一沟槽；

填充所述第一沟槽，形成与所述源漏掺杂区电连接的源漏导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露位于相邻的所述源漏掺杂区之间的所述衬底；

填充所述第二沟槽，形成与所述衬底电连接的衬底导电插塞。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述剩余支撑层的顶面低于所述源漏掺杂区的顶面，或所述剩余支撑层的顶面与所述源漏掺杂区的顶面平齐。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第二介质层的步骤包括：

形成第二介质材料层，所述第二介质材料层覆盖所述剩余支撑层和所述栅极结构；

平坦化所述第二介质材料层，形成第二介质层，所述第二介质层的顶面与所述栅极结构顶面平齐。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成第一沟槽的步骤之前还包括；

形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第二介质层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成隔离层步骤之后，所述形成第一沟槽的步骤之前还包括：

形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述隔离层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述支撑层的步骤包括：

采用干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺刻蚀所述支撑层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括高介电常数金属栅极结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括栅极导电结构，所述栅极导电结构位于所述高介电常数金属栅极结构的上方且与所述高介电常数金属栅极结构电连接。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上方的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂区、覆盖所述源漏掺杂区的表面的第一介质层；

剩余支撑层，所述剩余支撑层位于相邻的所述栅极结构之间，且覆盖所述栅极结构之间的源漏掺杂区的表面和衬底的表面，所述剩余支撑层的顶面低于所述栅极结构的顶面；

第二介质层，所述第二介质层至少覆盖所述剩余支撑层，且所述第二介质层的顶面至少与所述第一介质层的顶面齐平，且所述第二介质层的材料与所述第一介质层的材料相同；

源漏导电插塞，与所述源漏掺杂区电连接。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

衬底导电插塞，与所述源漏掺杂区电连接。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述剩余支撑层的顶面低于所述源漏掺杂区的顶面，或所述剩余支撑层的顶面与所述源漏掺杂区的顶面平齐。