[发明专利]一种可调增益均衡器

权利要求书

1.一种可调增益均衡器，其特征在于，包括：

第一射频端口RF_IN、第二射频端口RF_OUT、第一谐振单元、第二谐振单元、第三传输线TL3；其中，

第一谐振单元包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2与第一传输线TL1，

第一NMOS管M1与第二NMOS管M2并联，第一NMOS管M1的漏极、第二NMOS管M2的漏极连接第一射频端口RF_IN和第三传输线TL3的一端，第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的源极连接第一传输线TL1的一端；第一传输线TL1另一端悬空；

第二谐振单元包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4与第二传输线TL2，

第三NMOS管M3与第四NMOS管M4并联，第三NMOS管M2的漏极、第四NMOS管M4的漏极连接第二射频端口RF_OUT和第三传输线TL3的一端，第三NMOS管M3的源极、第四NMOS管M4的源极连接第二传输线TL2的一端；第二传输线TL2另一端悬空；

第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的栅极分别连接第一控制端Vc1、第二控制端Vc2、第三控制端Vc3、第四控制端Vc4。

2.根据权利要求1所述的可调增益均衡器，其特征在于，

第一NMOS管M1、第二NMOS管M2，第三NMOS管M3、第四NMOS管M4为深N阱NMOS管。

3.根据权利要求1所述的可调增益均衡器，其特征在于，

第一传输线TL1、第二传输线TL2长度为四分之一波长。

4.根据权利要求1所述的可调增益均衡器，其特征在于，

第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4采用晶体管寄生优化技术，在栅极分别通过串联电阻连接对应地控制端；衬底分别通过串联电阻接地。

5.根据权利要求1所述的可调增益均衡器，其特征在于，

第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4断开，所述可调增益均衡器工作在第一均衡模式；

第一NMOS管M1、第三NMOS管M3断开，第二NMOS管M2、第四NMOS管M4导通，所述可调增益均衡器工作在第二均衡模式；

第一NMOS管M1、第三NMOS管M3导通，第二NMOS管M2、第四NMOS管M4断开，所述可调增益均衡器工作在第三均衡模式；

第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4导通，所述可调增益均衡器工作在第四均衡模式。

6.根据权利要求1所述的可调增益均衡器，其特征在于，

当控制端为低电平，对应的NMOS管断开；当控制端为高电平，对应的NMOS管导通。