[发明专利]一种可调增益均衡器

说明书

本公开的实施例提供了一种可调增益均衡器。所述可调增益均衡器包括第一射频端口RF_IN、第二射频端口RF_OUT、第一谐振单元、第二谐振单元、第三传输线TL3；第一谐振单元包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2与第一传输线TL1；第二谐振单元包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4与第二传输线TL2。所述可调增益均衡器2比特可调，具有四种均衡模式，可满足不同使用需求；采用CMOS工艺，具有低损耗、低成本、易集成等优势；采用晶体管寄生优化技术和深N阱工艺体悬浮技术，降低晶体管寄生电容和衬底噪声的影响，降低插入损耗，提高线性度。

技术领域

本公开的实施例一般涉及射频集成电路技术领域，并且更具体地，涉及一种可调增益均衡器。

背景技术

无线通信技术的发展对无线收发机射频前端的研究提出了更高的要求。采用分立元件实现的无线收发机射频前端价格昂贵、体积庞大，不能满足日益增长的应用需求。CMOS硅基工艺具有功耗低、面积小、成本低、速度快、集成度高、抗干扰能力强等优势，已成为大规模集成电路的主流工艺技术。

在无线收发机射频前端系统中，多级放大电路的级联易造成较大的增益波动，导致信号发生畸变，影响系统的通信质量和传输速度。均衡器可产生与原系统相反的增益曲线，保证信号在带内各频点处幅度一致。传统均衡器的增益斜率固定，只能补偿特定的增益曲线，应用局限性很大。

发明内容

根据本公开的实施例，提供了一种可调增益均衡器。该可调增益均衡器包括第一射频端口RF_IN、第二射频端口RF_OUT、第一谐振单元、第二谐振单元、第三传输线TL3；其中，第一谐振单元包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2与第一传输线TL1，第一NMOS管M1与第二NMOS管M2并联，第一NMOS管M1的漏极、第二NMOS管M2的漏极连接第一射频端口RF_IN和第三传输线TL3的一端，第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的源极连接第一传输线TL1的一端；第一传输线TL1另一端悬空；第二谐振单元包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4与第二传输线TL2，第三NMOS管M3与第四NMOS管M4并联，第三NMOS管M2的漏极、第四NMOS管M4的漏极连接第二射频端口RF_OUT和第三传输线TL3的一端，第三NMOS管M3的源极、第四NMOS管M4的源极连接第二传输线TL2的一端；第二传输线TL2另一端悬空。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2，第三NMOS管M3、第四NMOS管M4为深N阱NMOS管。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，第一传输线TL1、第二传输线TL2长度为四分之一波长。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4采用晶体管寄生优化技术，在栅极分别通过串联电阻连接对应地控制端；衬底分别通过串联电阻接地。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的栅极分别连接第一控制端Vc1、第二控制端Vc2、第三控制端Vc3、第四控制端Vc4。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4断开，所述可调增益均衡器工作在第一均衡模式；第一NMOS管M1、第三NMOS管M3断开，第二NMOS管M2、第四NMOS管M4导通，所述可调增益均衡器工作在第二均衡模式；第一NMOS管M1、第三NMOS管M3导通，第二NMOS管M2、第四NMOS管M4断开，所述可调增益均衡器工作在第三均衡模式；第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4导通，所述可调增益均衡器工作在第四均衡模式。