[发明专利]存储器器件及其形成方法和存储器单元在审

专利信息
申请号: 202011196376.6 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112750478A 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 林谷峰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C7/18 分类号: G11C7/18;G11C8/14
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 器件 及其 形成 方法 单元
【权利要求书】:

1.一种存储器器件,包括:

存储器单元阵列,具有以多个行和多个列布置的多个存储器单元,存储器单元的每行与字线相关联,存储器单元的每列与位线和源极线相关联,其中,每个存储器单元包括:

存储器件,耦接至所述位线,所述存储器件响应于所述位线处的位线信号在第一电阻状态和第二电阻状态之间是可选择的;以及

选择器件,与所述存储器器件串联连接并且耦接至所述源极线,所述选择器件配置为响应于所述字线处的字线信号提供至所述存储器器件的访问;

字线驱动器,耦接至所述字线并且配置为生成所述字线信号;

位线驱动器,耦接至所述位线并且配置为生成所述位线信号,

其中,第一数量的所述源极线并联连接。

2.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述位线是第一金属轨道,并且所述源极线是第二金属轨道。

3.根据权利要求2所述的存储器器件,其中,所述第二金属轨道位于所述第一金属轨道的下方。

4.根据权利要求2所述的存储器器件,其中,所述第一金属轨道具有第一薄膜电阻,并且所述第二金属轨道具有第二薄膜电阻,并且基于所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻确定所述第一数量。

5.根据权利要求4所述的存储器器件,其中,将所述第一数量确定为小于或等于所述第二薄膜电阻与所述第一薄膜电阻的比率的最大整数。

6.根据权利要求2所述的存储器器件,其中,所述第一数量的源极线通过位于所述第一数量的源极线下方的第三金属接触轨道并联连接。

7.根据权利要求2所述的存储器器件,其中,所述第一数量的源极线通过位于所述第一数量的源极线之上的第三金属轨道并联连接。

8.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述第一数量的源极线位于彼此相邻的列中。

9.一种形成存储器器件的方法,包括:

提供以多个行和多个列布置的多个存储器单元,每个存储器单元具有串联连接的存储器器件和选择器件;

提供多个字线,每个字线对应于所述多个行中的一个;

提供多个位线,每个位线对应于所述多个列中的一个;

提供多个源极线,每个源极线对应于所述多个列中的一个;以及

并联连接所述第一数量的多个源极线。

10.一种存储器单元,包括:

存储器器件,响应于位线信号在第一电阻状态和第二电阻状态之间是可选择的;

晶体管,与所述存储器器件串联连接,所述晶体管配置为响应于位于所述晶体管的栅极处的字线信号提供至所述存储器器件的访问;以及

多个源极线,连接至所述晶体管,其中,所述多个源极线彼此并联连接。

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