[发明专利]半导体结构的制作方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成基底结构，所述基底结构包括衬底、源区和漏区，其中，所述源区和所述漏区间隔地设置在所述衬底中，所述衬底具有沟槽，所述沟槽位于相邻的所述源区和所述漏区之间；

在所述衬底的裸露表面上以及沟槽的裸露表面上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层的裸露表面上形成第一氧化层，所述第一氧化层包括至少一个子氧化层；

在剩余的所述沟槽中形成导电插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子氧化层包括第一子氧化层，在所述栅氧化层的裸露表面上形成第一氧化层，包括：

在所述栅氧化层的裸露表面上形成所述第一子氧化层，所述第一子氧化层为所述第一氧化层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一子氧化层包括TiN。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子氧化层包括第二子氧化层和第三子氧化层，在所述栅氧化层的裸露表面上形成第一氧化层，包括：

在所述栅氧化层的裸露表面上形成所述第二子氧化层；

在所述第二子氧化层的裸露表面上形成预备子氧化层；

在所述预备子氧化层中掺入氮杂质，形成所述第三子氧化层，其中，所述第三子氧化层和所述第二子氧化层形成所述第一氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二子氧化层包括TiO₂，所述第三子氧化层包括Ti。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子氧化层包括第四子氧化层、第五子氧化层和第六子氧化层，在所述栅氧化层的裸露表面上形成第一氧化层，包括：

在所述栅氧化层的裸露表面上形成所述第四子氧化层；

在所述第四子氧化层的裸露表面上形成所述第五子氧化层；

在所述第五子氧化层的裸露表面上形成所述第六子氧化层，所述第四子氧化层、第五子氧化层和所述第六子氧化层形成所述第一氧化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第四子氧化层包括TiO₂，所述第五子氧化层包括Ti，所述第六子氧化层包括TiN。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在剩余的所述沟槽中形成导电插塞后，所述方法还包括：

去除部分所述第一氧化层和部分所述导电插塞，使得所述导电插塞顶部的表面裸露以及所述导电插塞的裸露部分两侧的所述栅氧化层裸露；

在裸露的所述栅氧化层的侧壁上形成第二金属氧化层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在裸露的所述栅氧化层的侧壁上形成第二金属氧化层，包括：

在所述栅氧化层的裸露侧壁和所述衬底表面上形成预备第二金属氧化层；

去除部分所述预备第二金属氧化层，使得所述预备第二金属氧化层的远离所述衬底的表面低于所述导电插塞的远离所述衬底的表面，剩余的所述预备第二金属氧化层为所述第二金属氧化层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二金属氧化层包括Ti、TiO₂和n型掺杂硅中的至少一种。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底结构，包括衬底、源区和漏区，其中，所述源区和所述漏区间隔地设置在所述衬底中，所述衬底具有沟槽，所述沟槽位于相邻的所述源区和所述漏区之间；

栅氧化层，位于所述衬底的表面上以及所述沟槽的内壁上；

第一氧化层，位于所述栅氧化层的远离所述沟槽的内壁的表面上，所述第一氧化层包括至少一个子氧化层；

导电插塞，位于所述沟槽的剩余部分中。