[发明专利]光刻工艺热点的光学邻近修正的方法

权利要求书

1.一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，包括：

S1：提供一OPC图形，所述OPC图形内包括第一区域、第二区域及热点标记区域；执行步骤S2，

S2：将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；执行步骤S3，

S3：将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；执行步骤S4，

S4：沿垂直所述标记线的方向，将所述标记线向两侧各拓展第二延展值，以形成标记图形，执行步骤S5，

S5：所述第一区域和所述第二区域中与所述标记图形相交的边线为扩展线段，将所述扩展线段相向移动第一设定值，更新所述OPC图形；执行步骤S6，

S6：对更新后的OPC图形进行光学邻近修正验证，获取未通过光学邻近修正验证的热点，若未通过光学邻近修正验证的热点的数量小于阈值时，或者所述光学邻近修正的循环次数达到第二设定值，则结束所述光学邻近修正，并输出更新后的OPC图形，若未通过光学邻近修正验证的热点大于或等于所述阈值，则执行步骤S2。

2.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述第一区域对应第一金属线的图形的区域，所述第二区域对应第二金属线的图形的区域。

3.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述第一延展值为10-20nm。

4.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述第二延展值为10-40nm。

5.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，将所述热点标记区域矩形化之前，还对所述热点标记区域进行筛选，过滤掉面积大于或等于第三设定值的所述热点标记区域。

6.如权利要求5所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述第三设定值为1440nm²。

7.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述第二设定值为3-20。

8.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述热点为金属线桥接或断开的区域。

9.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域的边线由多个线段组成。

10.如权利要求1所述的光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，其特征在于，所述热点区域的形状为非矩形。