[发明专利]光刻工艺热点的光学邻近修正的方法

说明书

本发明提供了一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，包括：通过将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；将所述热点标记区域中垂直于所述第一扩展线的边长的两侧各延长第二延展值，以形成标记区域；所述第一区域和所述第二区域中与所述标记区域相交的边线为扩展线段。可以减少所述扩展线段的数量，进而减少自动光学邻近修正的过程中产生新的工艺热点的概率，提升光学邻近修正的效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法。

背景技术

光刻工艺是集成电路制造的主要工艺，光刻工艺是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要推动力。光刻工艺的优劣决定着集成电路的性能。光刻工艺是将掩模版图形向硅片表面各层材料上的转移，以使硅片表面各层材料上得到与掩膜版版图相关的光刻图形。

随着技术节点的不断减小，在硅片表面金属层的光刻工艺中，由于光学成像本身的分辨率限制及金属层掩膜版版图的设计缺陷会导致金属层掩模版图形在硅片上的曝光图形中金属线之间出现桥接的缺陷(即光刻工艺热点)，这些出现缺陷的区域叫做光刻工艺热点区域，简称光刻工艺热点或热点。光刻工艺热点可能会影响到金属层电路的出现短路，进一步的导致集成电路流片失败。因此，应该在金属层掩膜版出版之前，找出光刻工艺热点并对金属层掩膜版版图进行修复，而这一过程称之为光学邻近修正。

传统的光学邻近修正的流程中，通常通过优化光学邻近修正方法并重新修正来解决，该方法重复运行耗费大量的资源和时间。而28nm技术节点以下的金属层掩膜版版图的数据愈发复杂庞大，传统的光学邻近修正方法已经不适用，因此在28nm技术节点以下的光学邻近修正出版中，采用的是基于光学邻近修正热点的自动修补流程。

光学邻近修正热点的自动修补流程中会导致了不必要的光学邻近修正，还有可能产生新的热点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，能够减少光学邻近修正的过程中产生新的光刻工艺热点的概率，提升光学邻近修正的效率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，包括以下步骤：

S1：提供一OPC图形，所述OPC图形内包括第一区域、第二区域及热点标记区域；执行步骤S2，

S2：将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；执行步骤S3，

S3：将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；执行步骤S4，

S4：沿垂直所述标记线的方向，将所述标记线向两侧各拓展第二延展值，以形成标记图形，执行步骤S5，

S5：所述第一区域和所述第二区域中与所述标记图形相交的边线为扩展线段，将所述扩展线段相向移动第一设定值，更新所述OPC图形；执行步骤S6，

S6：对更新后的OPC图形进行光学邻近修正验证，获取未通过光学邻近修正验证的热点，若未通过光学邻近修正验证的热点的数量小于阈值时，或者所述光学邻近修正的循环次数达到第二设定值，则结束所述光学邻近修正，并输出更新后的OPC图形，若未通过光学邻近修正验证的热点大于或等于所述阈值，则执行步骤S2。

可选的，所述第一区域对应第一金属线的图形的区域，所述第二区域对应第二金属线的图形的区域。

可选的，所述第一延展值为10-20nm。

可选的，所述第二延展值为10-40nm。