[发明专利]NOR flash单元制造方法在审
| 申请号： | 202011201653.8 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112331658A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 田志;梁启超;邵华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nor flash 单元 制造 方法 | ||
1.一种NOR flash单元制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在半导体衬底上形成第二导电类型掺杂的阱区，在阱区上形成栅；
S2，沉积氮化硅并进行形貌修整在栅两侧形成部分第一氮化硅侧墙，沉积氧化硅并进行形貌修整在所述部分第一氮化硅侧墙两侧形成第一氧化硅侧墙；
S3,第一氧化硅侧墙以及部分第一氮化硅侧墙形貌修整；
S4，沉积氮化硅覆盖栅和阱区，沉积氧化硅并进行形貌修整形成完整的第一氮化硅侧墙，并在完整的第一氮化硅侧墙两侧沉积形貌修整形成第二氧化硅侧墙，沉积氮化硅并进行形貌修整形成第二氮化硅侧墙；
S5，源漏第一导电类型离子注入和高温热退火；
S6，源漏第二导电类型离子注入；
S7，去除第二氮化硅侧墙，形成第一难熔硅化物掩蔽层；
S8，源漏第二导电类型高温热退火，形成第二难熔硅化物掩蔽层；
S9，接触孔刻蚀阻挡层形成。
2.如权利要求1所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：栅底部氧化硅侧壁形成有第二氮化硅侧墙，且第一氮化硅侧墙和第二氮化硅侧墙形成接触。
3.如权利要求1所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：步骤S7采用湿法刻蚀去除第二氮化硅侧墙。
4.如权利要求1所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：所述部半导体衬底为硅衬底。
5.如权利要求1所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：所述栅包括依次叠加形成的第一氧化层、浮栅、ONO结构和控制栅。
6.如权利要求5所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：第一氧化层为氧化硅层。
7.如权利要求5所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：ONO结构由氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层叠加而成。
8.如权利要求5所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：所述浮栅和控制栅为多晶硅浮栅。
9.如权利要求1所述NOR flash单元制造方法，其特征在于：第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
