[发明专利]LDMOS器件及工艺方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于：在第一导电类型的衬底中具有浅槽隔离结构，在所述浅槽隔离结构之间形成所述LDMOS器件的各组成结构；

所述的浅槽隔离结构所隔离出来的区域内，整体形成为第二导电类型的高能量漂移区；所述隔离出来的区域的中心区域为所述LDMOS器件的第一导电类型的体区；整个器件以中心点左右对称；

所述的体区中，包含有所述LDMOS器件的源区，所述源区为重掺杂的第二导电类型的注入区；所述体区中还具有重掺杂的第一导电类型的注入区作为体区引出区；所述源区位于体区引出区的两侧，与所述体区的引出区横向上抵靠接触；

在所述体区的两侧，与浅槽隔离结构之间的衬底中，还具有第二导电类型的第二漂移区；所述第二漂移区的注入深度小于高能量漂移区，所述第二漂移区与体区之间间隔一段衬底；

所述第二漂移区中还具有重掺杂的第二导电类型的注入区，作为所述LDMOS器件的漏区；所述漏区远离体区，与浅槽隔离结构抵靠接触；

所述第二漂移区与源区之间的衬底表面具有所述LDMOS器件的栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底之上与衬底接触的栅介质层、栅介质层上的多晶硅栅极，以及位于栅介质层及多晶硅栅极两侧的栅极侧墙；

在栅极结构与漏区之间的衬底表面，以及栅极侧墙的墙面上还具有金属硅化反应阻挡层，在金属硅化物反应阻挡层之上还覆盖有金属硅化物作为LDMOS器件的漏端场板。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述LDMOS器件的表面还具有一层绝缘介质叠层，在绝缘介质叠层之上覆盖层间介质，层间介质上具有金属层，通过穿过层间介质的接触孔与LDMOS器件的源区、漏区、多晶硅栅极以及漏端场板接触引出电极。

3.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述绝缘介质叠层作为停止刻蚀的刻蚀阻挡层。

4.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述的多晶硅栅极之上，以及漏区、源区以及体区引出区的表面还具有金属硅化物，接触孔通过与金属硅化物接触引出各电极。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述的漏端场板，或者是金属硅化物与多晶硅的复合叠层。

6.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述的金属硅化物反应阻挡层以及漏端场板，根据器件的击穿电压要求，能选择性地去除漏端场板仅保留金属硅化物反应阻挡层；或者是，将属硅化物反应阻挡层以及漏端场板均去除。

7.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

8.制造如权利要求1所述的LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：

步骤一，在第一导电类型的衬底中形成浅槽隔离结构，以在衬底上规划出LDMOS器件的形成区域；然后在衬底上形成一层氧化层，并淀积一层用于形成多晶硅栅极的多晶硅层，再对多晶硅进行第一次刻蚀；

步骤二，在光刻胶的定义下露出漂移区的注入区域，进行第二导电类型的高能量漂移区和RESURF区域的离子注入；

步骤三，对多晶硅层进行二次刻蚀形成多晶硅栅极，并进行第一导电类型的离子注入形成体区；

步骤四，去除光刻胶，淀积氧化层并刻蚀形成栅极侧墙；然后进行第二导电类型的重掺杂注入形成LDMOS器件的源区及漏区，以及重掺杂的第一导电类型离子注入形成体区的引出区；淀积金属硅化物反应阻挡层以及第二层多晶硅层，并对金属硅化物反应阻挡层及多晶硅层进行刻蚀；

步骤五，对第二层多晶硅层进行金属硅化反应，在多晶硅栅极顶部、源区、漏区、体区引出区以及金属硅化物反应阻挡层的上表面形成金属硅化物，金属硅化物反应阻挡层上的金属硅化物作为漏端场板；淀积绝缘介质刻蚀停止层，淀积层间介质并进行CMP工艺，刻蚀接触孔并沉积金属形成接触。