[发明专利]发光装置、光学装置以及信息处理装置在审
申请号: | 202011202712.3 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN113314943A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 井口大介 | 申请(专利权)人: | 富士胶片商业创新有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/042;H01S5/42;G01B11/24;G01S17/48;G06K9/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 光学 以及 信息处理 | ||
本发明提供一种发光装置、光学装置以及信息处理装置,发光装置具有:导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材;发光元件,设在所述基材的表面侧;第一背面配线,设在所述基材的背面侧,连接于所述发光元件的阴极电极与阳极电极的其中一者;第二背面配线,设在所述基材的背面侧,连接于所述阴极电极与所述阳极电极的另一者;以及基准电位配线,设在所述基材的背面侧,连接于外部的基准电位。
技术领域
本公开涉及一种发光装置、光学装置以及信息处理装置。
背景技术
日本专利特开2008-252129号公报中记载了一种发光装置,其具有:陶瓷基板,具有透光性;发光元件,搭载于所述陶瓷基板的表面;配线图案,用于对所述发光元件供给电力;以及金属化层(metalization layer),包含具有反光性的金属,所述金属化层以对从所述发光元件出射的光进行反射的方式而形成在所述陶瓷基板的内部。
发明内容
提供下述结构的发光装置等,即,在发光元件被设在散热基材表面侧的发光装置中,与仅设有连接于发光元件的阴极电极的配线和连接于阳极电极的配线的结构相比较,在对发光元件进行低侧驱动的情况下,容易使发光元件的热从散热基材的背面侧散发至外部。
根据本公开的第一方案,提供一种发光装置,包括:导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材;发光元件,设在所述基材的表面侧;第一背面配线,设在所述基材的背面侧,连接于所述发光元件的阴极电极与阳极电极的其中一者;第二背面配线,设在所述基材的背面侧,连接于所述阴极电极与所述阳极电极的另一者;以及基准电位配线,设在所述基材的背面侧,连接于外部的基准电位。
根据本公开的第二方案,所述发光装置具有第一表面配线,所述第一表面配线设在所述基材的表面侧,且与所述第一背面配线连接,所述发光元件设在所述第一表面配线上,所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线的至少一部分重合。
根据本公开的第三方案,所述发光装置具有:第一表面配线,设在所述基材的表面侧,且与所述第一背面配线连接;以及第二表面配线,设在所述基材的表面侧,且与所述第二背面配线连接,所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线或所述第二表面配线的至少一部分重合。
根据本公开的第四方案,所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线及所述第二表面配线各自的至少一部分重合。
根据本公开的第五方案,所述基准电位配线在俯视时与所述发光元件的至少一部分重合。
根据本公开的第六方案,所述基准电位配线的面积比所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积的至少一者大。
根据本公开的第七方案,所述基准电位配线的面积分别比所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积大。
根据本公开的第八方案,所述基材整体包含陶瓷材料。
根据本公开的第九方案,所述发光元件为垂直腔面发射激光器元件。
根据本公开的第十方案,所述发光元件是具有多个发光元件的发光元件阵列。
根据本公开的第十一方案,所述发光装置具有扩散构件,所述扩散构件使从所述发光元件出射的光扩散而照射至外部。
根据本公开的第十二方案,所述发光装置具有驱动部,所述驱动部与所述发光元件连接,对所述发光元件进行低侧驱动。
根据本公开的第十三方案,提供一种光学装置,包括:所述发光装置;以及受光部,接收从所述发光装置所包括的发光元件出射并由被测定物予以反射的反射光,所述受光部输出一信号,所述信号相当于从光自所述发光元件出射开始直至被所述受光部接收为止的时间。
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