[发明专利]支承单元、基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 202011202960.8 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN112750728A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 方济午;徐庚进;安迎曙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 侯志源 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支承 单元 处理 装置 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
壳体,其在内部具有处理空间;
气体供应单元,其配置为将疏水性气体供应到所述处理空间中以使所述基板疏水化;和
支承单元,其配置为在所述处理空间中支承所述基板,
其中,所述支承单元包括:
支承板;
加热构件,其配置为加热放置在所述支承板上的所述基板;和
高度调节构件,其配置为在第一位置和第二位置之间改变所述基板的位置,所述第一位置与所述支承板的上表面向上间隔开第一距离,所述第二位置与所述支承板的所述上表面向上间隔开第二距离,并且
其中,所述第二位置是比所述第一位置高的位置。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述高度调节构件包括柱塞,所述柱塞配置为在突出位置和插入位置之间、在上下方向上是可移动的,且所述柱塞配置为在所述突出位置支承所述基板,
其中,所述插入位置是等于或低于所述第一位置的高度,并且
其中,所述突出位置是与所述第二位置相对应的高度。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述高度调节构件还包括接近销,所述接近销在与所述支承板的所述上表面相距所述第一距离处具有上端。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述接近销固定至所述支承单元。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的装置,其中,所述柱塞位于形成在所述支承板的所述上表面上的凹部中,并且
其中,配置为减小所述凹部中的压力的减压通道连接至所述凹部。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,随着所述减压通道中压力的减小,所述柱塞从所述第二位置移动至所述第一位置。
7.根据权利要求5所述的装置,其中,所述柱塞具有穿过所述柱塞竖直地形成的通孔,并且
其中,所述通孔与所述减压通道连接。
8.根据权利要求5所述的装置,其中,所述柱塞包括:
第一主体;和
从所述第一主体向上延伸的第二主体,
其中,当从上方观察时,所述第二主体具有比所述第一主体小的面积,
其中,在所述突出位置,所述第一主体位于所述凹部中,并且
其中,在所述突出位置,所述第二主体支承所述基板。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,在所述第一主体的下表面上设置有弹性构件,且
其中,所述弹性构件的一侧与所述第一主体的所述下表面连接,且所述弹性构件的相对侧与所述支承板连接。
10.根据权利要求5所述的装置,其中,所述减压通道包括:
主通道;和
第一通道和第二通道,所述第一通道和所述第二通道配置为从所述主通道分支,
其中,所述第一通道与所述凹部连接,并且
其中,所述第二通道延伸到所述支承板的所述上表面。
11.根据权利要求2至4中任一项所述的装置,其中,所述柱塞包括多个柱塞,所述多个柱塞沿所述支承板的圆周方向布置。
12.根据权利要求2至4中任一项所述的装置,其中,所述疏水性气体为六甲基二硅氮烷HMDS气体。
13.一种用于在处理空间中支承基板的支承单元,所述支承单元包括:
支承板;
加热构件,其配置为加热放置在所述支承板上的所述基板;和
高度调节构件,其配置为在第一位置和第二位置之间改变所述基板的位置,所述第一位置与所述支承板的上表面向上间隔开第一距离,所述第二位置与所述支承板的所述上表面向上间隔开第二距离,
其中,所述第二距离大于所述第一距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造