[发明专利]支承单元、基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明提供一种支承单元、基板处理装置和基板处理方法。用于处理基板的装置包括：壳体，其在内部具有处理空间；气体供应单元，其将疏水性气体供应到处理空间中以使基板疏水化；以及支承单元，其在处理空间中支承基板。支承单元包括：支承板；加热构件，其加热放置在支承板上的基板；以及高度调节构件，其在第一位置和第二位置之间改变基板的位置，第一位置与支承板的上表面向上间隔开第一距离，第二位置与支承板的上表面向上间隔开第二距离，且第二位置是比第一位置高的位置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月31日提交韩国专利局的、申请号为10-2019-0138105的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的发明构思的实施方式涉及支承单元、包括该支承单元的基板处理装置、以及使用该基板处理装置的基板处理方法。

背景技术

通常，执行诸如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体设备。光刻工艺是在基板上形成期望的图案的工艺。光刻工艺通常在旋转器局部设备(spinner local equipment)中执行，该旋转器局部设备与曝光设备连接、并连续地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。

旋转器设备依次或选择性地执行六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane)(以下称为HMDS)工艺、涂覆工艺、烘烤工艺(bake process)和显影工艺。

HMDS工艺是通过在施用光刻胶(PR)之前将HMDS气体分配到基板上以改进光刻胶对基板的粘附效率的工艺。烘烤工艺是加热和冷却基板以增强形成在基板上的光刻胶膜、或将基板的温度调节至预定温度的工艺。

在传统的疏水化工艺中，仅使基板的上表面疏水化。然而，在基板的两个表面均未被疏水化的情况下，在一些工艺中，诸如在将基板浸入蚀刻液体中的湿法蚀刻工艺中，存在在基板上具有污点问题。因此，基板的上表面和下表面需要被疏水化。

在使由升降销升高的基板的下表面疏水化的情况下，发生所谓挤压效应，该挤压效应使基板向下受压。因此，基板在升高时会弹起并受损。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种用于使基板的上表面和下表面疏水化的支承单元、包括该支承单元的基板处理装置、以及使用该基板处理装置的基板处理方法。

此外，本发明构思的实施方式提供了一种用于在基板经受热处理的情况下最小化发生的挤压效应的支承单元、包括该支承单元的基板处理装置、以及使用该基板处理装置的基板处理方法。

本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：壳体，其在内部具有处理空间；气体供应单元，其将疏水性气体供应到处理空间中以使基板疏水化；以及支承单元，其在处理空间中支承基板。支承单元包括：支承板；加热构件，其加热放置在支承板上的基板；以及高度调节构件，其在第一位置和第二位置之间改变基板的位置，第一位置与支承板的上表面向上间隔开第一距离，第二位置与支承板的上表面向上间隔开第二距离，且第二位置是比第一位置高的位置。

根据一实施方式，高度调节构件可包括柱塞，该柱塞在突出位置和插入位置之间、在上下方向上是可移动的，且在突出位置支承基板。插入位置可以是等于或低于第一位置的高度，并且突出位置可以是对应于第二位置的高度。

根据一实施方式，高度调节构件还可以包括接近销(proximity pin)，该接近销在与支承板的上表面相距第一距离处具有上端。

根据一实施方式，接近销可以固定至支承单元。