[发明专利]电子设备及制造电子设备的方法

权利要求书

1.一种用于制造电子设备的方法，所述电子设备包括半导体存储器，所述方法包括：

形成第一碳电极材料；

对所述第一碳电极材料进行表面处理以减小所述第一碳电极材料的表面粗糙度；以及

在经表面处理的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料，其中所述第二碳电极材料的厚度小于所述第一碳电极材料的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一碳电极材料进行表面处理包括执行刻蚀工艺、离子注入工艺或掺杂工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二碳电极材料的厚度为或更小。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二碳电极材料的表面粗糙度为或更小。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有实质上相同的电阻率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有不同的电阻率。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一碳电极材料在第一温度下形成，并且所述第二碳电极材料在与所述第一温度不同的第二温度下形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述经表面处理的第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有不同的杂质浓度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一碳电极材料，对所述第一碳电极材料进行表面处理以及形成第二碳电极材料是在原位执行的。

10.一种用于制造电子设备的方法，所述电子设备包括半导体存储器，所述方法包括：

在第一工艺条件下形成第一碳电极材料；以及

在不同于所述第一工艺条件的第二工艺条件下，在所述第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料，其中所述第二碳电极材料的厚度小于所述第一碳电极材料的厚度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一碳电极材料在第一温度下形成，并且所述第二碳电极材料在与所述第一温度不同的第二温度下形成。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一碳电极材料包括第一浓度的杂质，并且所述第二碳电极材料包括与所述第一浓度不同的第二浓度的杂质。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二碳电极材料的厚度为或更小。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二碳电极材料的表面粗糙度为或更小。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有不同的电阻率。

16.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在形成所述第二碳电极材料之前对所述第一碳电极材料进行表面处理。

17.一种电子设备，其包括半导体存储器，

其中，所述半导体存储器包括：

行线；

列线，其与所述行线交叉；以及

存储单元，其位于所述行线与所述列线之间，所述存储单元包括第一碳电极材料和第二碳电极材料，所述第二碳电极材料形成在所述第一碳电极材料的表面上并且具有或更小的厚度。

18.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述第二碳电极材料具有或更小的表面粗糙度。

19.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有实质上相同的电阻率。