[发明专利]电子设备及制造电子设备的方法

说明书

一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年3月4日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2020-0027405的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的总体而言涉及一种电子设备，更具体而言，涉及一种包括半导体存储器的电子设备及制造电子设备的方法。

背景技术

近来，随着电子设备和家用电器朝向小型化、低功耗、高性能、多功能等趋势发展，存在对能够在各种电子设备和家用电器(如计算机和便携式通信设备)中存储信息的半导体器件的需求。因此，已经对能够利用以下特性储存数据的半导体器件进行了研究：半导体器件根据施加至其上的电压或电流在不同的电阻状态之间切换。半导体器件的示例是电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电熔丝等。

发明内容

实施例提供了一种能够改善存储单元的操作特性和可靠性的电子设备，以及一种用于制造电子设备的方法。

根据本公开的一个方面，一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成第一碳电极材料；对所述第一碳电极材料进行表面处理以减小所述第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在经表面处理的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料，其中所述第二碳电极材料的厚度小于所述第一碳电极材料的厚度。

根据本公开的另一个方面，一种用于制造具有半导体存储器的电子设备的方法包括：在第一工艺条件下形成第一碳电极材料，并且在不同于所述第一工艺条件的第二工艺条件下在所述第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料，其中所述第二碳电极材料的厚度小于所述第一碳电极材料的厚度。

根据本公开的又一个方面，一种电子设备的半导体存储器包括：行线、与所述行线交叉的列线、以及位于所述行线与所述列线之间的存储单元，所述存储单元包括第一碳电极材料和第二碳电极材料，所述第二碳电极材料形成在所述第一碳电极材料的表面上并且具有或更小的厚度。

附图说明

现在将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施例；然而，实施例可以采用不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开将是详尽和完整的，并且让本领域的技术人员充分地了解该示例性实施例的范围。

在附图中，为了图示清楚起见，可能对尺寸进行了放大处理。将理解的是，当一个元件被指明在两个元件“之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。贯穿全文，相同的附图标记表示相同的元件。

图1是示出根据本公开的实施例的电子设备的结构的视图，其是单元阵列的电路图。

图2A、图2B和图2C是示出根据本公开的实施例的电子设备的结构的视图。

图3是示出根据本公开的实施例的电子设备的结构的立体图。

图4A和图4B是示出电子设备的结构的视图。

图5A、图5B和图5C是示出根据本公开的实施例的用于制造电子设备的方法的截面图。

图6A、图6B和图6C是示出根据本公开的实施例的用于制造电子设备的方法的截面图。

图7A和图7B是示出根据本公开的实施例的用于制造电子设备的方法的截面图。

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E是示出根据本公开的实施例的用于制造电子设备的方法的截面图。