[发明专利]一种无线充电用芯片加工用适用范围广的刻蚀装置在审
申请号: | 202011205036.5 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN112309920A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 黄毅 | 申请(专利权)人: | 苏州加士革电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;B08B1/00;B08B5/04;B08B7/02 |
代理公司: | 苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙) 32385 | 代理人: | 刘巍 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无线 充电 芯片 工用 适用范围 刻蚀 装置 | ||
本发明公开了一种无线充电用芯片加工用适用范围广的刻蚀装置,涉及芯片加工技术领域,具体为壳体和清理装置,所述壳体的左侧固定有支撑座。该无线充电用芯片加工用适用范围广的刻蚀装置,设置有载物盘,载物盘上表面设置的放置槽可以用来承载需要加工的芯片晶圆,而下方的第一滑块可转运放置槽内的晶圆进入壳体内部进行加工处理,载物盘下表面连接的电动伸缩杆可通过收缩并配合顶柱将转运进壳体内的晶圆顶起,从而便于夹持装置对其进行夹持固定,而电机可通过带动载物盘进行转动从而使空的放置槽位于夹持装置的下方进行下料处理,此上下料流程同时进行,无需人工操作,大大提高了晶圆刻蚀的效率。
技术领域
本发明涉及芯片加工技术领域,具体为一种无线充电用芯片加工用适用范围广的刻蚀装置。
背景技术
在无线充电用芯片生产中,需要对晶圆进行刻蚀处理,刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀,干刻蚀基本上包括离子轰击与化学反应两部份刻蚀机制,偏离子轰击效应者使用氩气,加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微,而偏化学反应效应者则采氟系或氯系气体,经激发出来的电浆,即带有氟或氯之离子团,可快速与芯片表面材质反应。
目前在无线充电用芯片刻蚀过程中需要通过人工对晶圆进行安装和取放,其工作效率较慢,且存在安全隐患,从而无法实现自动上下料的高效率作业,针对上述前情况,我们推出了一种无线充电用芯片加工用适用范围广的刻蚀装置。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种无线充电用芯片加工用适用范围广的刻蚀装置,解决了上述背景技术中提出的目前在无线充电用芯片刻蚀过程中需要通过人工对晶圆进行安装和取放,其工作效率较慢,且存在安全隐患,从而无法实现自动上下料的高效率作业问题。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种无线充电用芯片加工用适用范围广的刻蚀装置,包括壳体和清理装置,所述壳体的左侧固定有支撑座,且支撑座的上表面设置有第一滑轨,所述第一滑轨的上表面安置有第一滑块,且第一滑块的上表面固定有电机,所述电机的上端连接有支撑板,且支撑板的上表面设置有电动伸缩杆,所述电动伸缩杆的左右方安置有顶柱,且电动伸缩杆的上端连接有载物盘,所述载物盘的上表面开设有放置槽,所述壳体的左侧外壁位于支撑座上方设置有驱动滑块,且驱动滑块的下端连接有门体,所述壳体的上端内壁固定有液压缸,且液压缸的下端连接有第一弹簧,所述第一弹簧的下端连接有双向气缸,且双向气缸的上表面中部安置有振动器,所述双向气缸的左右两端连接有夹头,且夹头的内部安置有第二弹簧,所述第二弹簧的末端连接有夹板,且夹板的外表面设置有防蚀层,所述双向气缸的下表面设置有第三弹簧,且第三弹簧的下端连接有基板,所述清理装置的安置于基板下方,且清理装置的下方位于壳体底部设置有进气板。
可选的,所述第一滑块通过第一滑轨与支撑座之间构成滑动结构,且第一滑轨与壳体之间呈垂直分布。
可选的,所述载物盘通过电动伸缩杆与支撑板之间构成升降结构,且电动伸缩杆关于支撑板的竖直中心线呈对称分布,而且支撑板通过电机与第一滑块之间构成转动结构。
可选的,所述双向气缸通过液压缸与壳体之间构成升降结构,且双向气缸通过第一弹簧与液压缸之间构成弹性结构,而且双向气缸的竖直中心线与振动器的竖直中心线相重合。
可选的,所述夹板通过第二弹簧与夹头之间构成弹性结构,且夹头与双向气缸之间为活动连接,而且夹头呈半圆型。
可选的,所述基板上表面均匀分布有第三弹簧,且基板与载物盘之间呈平行分布。
可选的,所述基板上表面均匀分布有第三弹簧,且基板与载物盘之间呈平行分布。
可选的,所述底座通过第二滑轨与壳体之间构成滑动结构,且底座的中垂线与清理刷的中垂线相重合,而且清理刷呈柔性结构。
可选的,所述进气板的竖直中心线与壳体的竖直中心线相重合,且进气板的外口尺寸与基板的外口尺寸相吻合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造