[发明专利]一种基于磁阻变化的微流控流速探测装置

权利要求书

1.一种基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于，包括：微流控芯片、第一磁性材料部、柔性层，所述微流控芯片的表面设有流体通道，所述第一磁性材料部为条形，所述第一磁性材料部置于所述微流控芯片上，所述第一磁性材料部横跨所述流体通道，所述柔性层包覆所述流体通道和所述第一磁性材料部，所述柔性层在所述流体通道的入口和出口分别设有开口。

2.如权利要求1所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：在所述流体通道内，所述第一磁性材料部的截面尺寸小于100微米。

3.如权利要求2所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：在所述流体通道顶部，所述第一磁性材料部固定连接所述柔性层。

4.如权利要求2所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：在所述流体通道顶部，所述第一磁性材料部与所述柔性层接触。

5.如权利要求4所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：还包括第二磁性材料部，所述第二磁性材料部固定在所述流体通道内所述柔性层上。

6.如权利要求5所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：所述第二磁性材料部为条形，所述条形沿所述第一磁性材料部的方向，所述第二磁性材料部与所述第一磁性材料部接触。

7.如权利要求6所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：所述第二磁性材料部的厚度小于所述第一磁性材料部的厚度。

8.如权利要求4所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：在所述流体通道内，在与所述第二磁性材料部接触的一侧，所述第一磁性材料部的表面设有突出部，在所述突出部处，所述第二磁性材料部内设有对应的凹槽或孔洞。

9.如权利要求8所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：所述突出部的磁导率大于所述第一磁性材料部和所述第二磁性材料部的磁导率。

10.如权利要求1-9任一项所述的基于磁阻变化的微流控流速探测装置，其特征在于：所述柔性层的材料为聚二甲基硅氧烷。