[发明专利]触控薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202011206929.1 | 申请日: | 2020-11-03 |
公开(公告)号: | CN112269496A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 杨柏儒;钟敏;邱志光;许嘉哲;吴梓毅 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 赵蕊红 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种触控薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一薄膜衬底;
在所述薄膜衬底上进行压印,在所述薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道;其中,所述第一沟道和所述第二沟道相互交叉;所述第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层,所述第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层;
在所述第一沟道与所述第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构,以使得所述第一沟道导电层和所述第二沟道导电层通过所述中间绝缘结构绝缘交叉,位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向的第二沟道导电层通过所述中间绝缘结构上的导电层相连接,形成触控结构。
2.根据权利要求1所述的触控薄膜的制备方法,其特征在于,所述第一沟道和所述第二沟道位于所述薄膜衬底的同一高度;
同一水平方向上的第二沟道在与所述第一沟道的交叉处断开,或同一竖直方向上的第一沟道在与所述第二沟道的交叉处断开。
3.根据权利要求2所述的触控薄膜的制备方法,其特征在于,所述在所述第一沟道与所述第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构的步骤包括:
在所述第一沟道与所述第二沟道的交叉处的上方形成绝缘的跨桥结构;
在所述跨桥结构上形成导电层,以使得同一水平方向上断开的第二沟道导电层通过所述导电层相连接,所述第一沟道导电层与所述导电层相绝缘,或同一竖直方向上断开的第一沟道导电层通过所述导电层相连接,所述第二沟道导电层与所述导电层相绝缘。
4.根据权利要求3所述的触控薄膜的制备方法,其特征在于,通过喷墨打印的方式在所述第一沟道和所述第二沟道的交叉处形成所述跨桥结构。
5.根据权利要求1所述的触控薄膜的制备方法,其特征在于,通过喷墨打印的方式在所述第一沟道和所述第二沟道上填充导电材料形成第一导电沟道层和第二导电沟道层。
6.根据权利要求1至5任一项所述的触控薄膜的制备方法,其特征在于,在所述形成触控结构的步骤之后,还包括以下步骤:
在所述触控结构之上涂覆防水氧材料。
7.一种触控薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一薄膜衬底;
在所述薄膜衬底上进行压印,在所述薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道;
在所述第一沟道上填充导电材料,得到第一沟道导电层;
在薄膜衬底上形成有所述第一沟道和所述第一沟道导电层所对应的面上涂覆绝缘材料,形成中间绝缘层;
在所述中间绝缘层上压印出水平方向的多个第二沟道;
在所述第二沟道上填充导电材料形成第二沟道导电层,形成触控结构;
其中,所述第一沟道导电层与所述第二沟道导电层通过所述中间绝缘层在空间位置上绝缘交叉。
8.一种触控薄膜,其特征在于,包括:
薄膜衬底;
通过压印方式形成于所述薄膜衬底上的竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道;其中,所述第一沟道和所述第二沟道相互交叉;所述第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层,所述第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层;
所述第一沟道与所述第二沟道的交叉处形成有带有导电层的中间绝缘结构,所述第一沟道导电层和所述第二沟道导电层通过所述中间绝缘结构绝缘交叉,位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向上的第二沟道导电层通过所述中间绝缘结构上的导电层相连接,形成触控结构。
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