[发明专利]触控薄膜及其制备方法

说明书

本申请提供了触控薄膜及其制备方法，涉及触控技术领域。该方法通过提供一薄膜衬底；在薄膜衬底上进行压印制备出竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道；第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层，第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；在第一沟道与第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构，以使得第一沟道导电层和第二沟道导电层绝缘交叉，位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向的第二沟道导电层通过导电层相连接形成触控结构。本技术方案通过压印的方式实现在薄膜衬底内部构建触控模块结构，实现触控薄膜的大规模制备，减少了制备成本，提高了触控薄膜的可拉伸性能和性能稳定性。

技术领域

本申请涉及触控技术领域，具体而言，本申请涉及一种触控薄膜及其制备方法。

背景技术

OFS(One Film Solution)触控薄膜技术是以薄膜取代原有的表面玻璃，并与触控传感器进行整合的新一代触控技术。OFS触控薄膜技术具有轻薄、可挠曲的特点，在柔性显示上具有良好的应用前景。

在现有的OFS触控薄膜技术，通常采用磁控溅射镀膜、光刻和刻蚀等真空制程在薄膜上制备出发射极和感应极。然而，真空制程对环境要求高，制备过程复杂且成本高，不适用于大规模制备，同时采用真空制程所得到的触控结构抗弯折能力弱，容易断裂而影响触摸性能。

发明内容

本申请的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，提供了一种触摸薄膜及其制备方法。

第一方面，本申请实施例提供一种触控薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供一薄膜衬底；

在薄膜衬底上进行压印，在薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道；其中，第一沟道和第二沟道相互交叉；第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层，第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；

在第一沟道与第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构，以使得第一沟道导电层和第二沟道导电层通过中间绝缘结构绝缘交叉，位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向的第二沟道导电层通过中间绝缘结构上的导电层相连接，形成触控结构。

在一实施例中，第一沟道和第二沟道位于薄膜衬底的同一高度；

同一水平方向上的第二沟道在与第一沟道的交叉处断开，或同一竖直方向上的第一沟道在与第二沟道的交叉处断开。

在一实施例中，在第一沟道与第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构的步骤包括：

在第一沟道与第二沟道的交叉处的上方形成绝缘的跨桥结构；

在跨桥结构上形成导电层，以使得同一水平方向上断开的第二沟道导电层通过导电层相连接，第一沟道导电层与导电层相绝缘，或同一竖直方向上断开的第一沟道导电层通过导电层相连接，第二沟道导电层与导电层相绝缘。

在一实施例中，通过喷墨打印的方式在第一沟道和第二沟道的交叉处形成跨桥结构。

在一实施例中，通过喷墨打印的方式在第一沟道和第二沟道上填充导电材料形成第一导电沟道层和第二导电沟道层。

在一实施例中，在形成触控结构的步骤之后，还包括以下步骤：

在触控结构之上涂覆防水氧材料。

在一实施例中，防水氧材料与薄膜衬底的材料相同，薄膜包括PDMS薄膜。

第二方面，本申请实施例还提供了一种触控薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供一薄膜衬底；

在薄膜衬底上进行压印，在薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道；