[发明专利]对量测数据的贡献的分离

说明书

本发明涉及对量测数据的贡献的分离。一种方法，包括：通过组合由图案化工艺处理的衬底上的第一变量的指纹和第一变量的特定值，来计算衬底的图案的或针对衬底的图案的第一变量的值；以及至少部分基于第一变量的所计算的值来确定图案的第二变量的值。

本申请是于2017年2月17日提交的、申请号为201780012362.4、发明名称为“对量测数据的贡献的分离”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年2月22日提交的美国申请62/298,367和于2016年9月1日提交的美国申请62/382,764以及于2017年2月15日提交的美国申请62/459,327的优先权，这些申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种改善器件制造工艺的性能的方法。该方法可以与光刻设备或量测设备结合使用。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可以使用备选地称为掩模或掩模版的图案形成装置来生成与IC的单个层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分上(例如，包括部分、一个或若干裸片)。通常，单个衬底将包含相继曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在所谓的步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分，在所谓的扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上使用辐射束扫描图案同时在平行或反平行于该方向的方向上扫描衬底来照射每个目标部分。

在将电路图案从图案形成装置转移到衬底之前，衬底可以经历各种过程，诸如底涂、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，可以对衬底进行其他过程，诸如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和转移的电路图案的测量/检查。该批过程用作制作器件的单个层(例如，IC)的基础。然后，衬底可以经历各种工艺，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些都旨在完成器件的单个层。如果器件中需要多个层，则针对每个层重复整个过程或其变体。最终，器件将存在于衬底上的每个目标部分中。然后通过诸如切割或锯切等技术将这些器件彼此分开，从而可以将各个器件安装在载体上，连接到引脚，等等。

因此，诸如半导体器件等制造器件通常涉及使用多种制造工艺来处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成器件的各种特征和多个层。这样的层和特征通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个裸片上制造多个器件，并且然后将其分成单独的器件。这个器件制造工艺可以被认为是图案化工艺。图案化工艺涉及诸如使用光刻设备中的图案形成装置的光学和/或纳米压印光刻等用于将图案形成装置上的图案转移到衬底的图案化步骤，并且通常但是可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影，使用烘焙工具烘焙衬底，使用蚀刻设备使用图案进行蚀刻，等等。

发明内容

本文中公开了一种方法，其包括：获得可建模的处理变量对衬底上的图案的量测数据的第一贡献；获得未建模的处理变量对图案的量测数据的第二贡献；以及由硬件计算机通过组合第一贡献和第二贡献来获得量测数据。

根据一个实施例，量测数据包括选自临界尺寸(CD)、临界尺寸均匀性(CDU)、侧壁角度、边缘位置、套刻精度、焦点和/或图案偏移中的一项或多项。

根据一个实施例，量测数据包括一组图案的统计量。

根据一个实施例，未建模的处理变量是衬底的曝光的下游的工艺的特性。

根据一个实施例，该工艺是衬底上的抗蚀剂层的显影。

根据一个实施例，该工艺是衬底的蚀刻。

根据一个实施例，未建模的处理变量是衬底的特性。