[发明专利]一种存储器及神经形态芯片在审
| 申请号： | 202011211266.2 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112365910A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 何伟;沈杨书;祝夭龙 | 申请（专利权）人： | 北京灵汐科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100080 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 神经 形态 芯片 | ||
1.一种存储器，其特征在于，包括：相连的非易失性存储单元和刷新电路；
其中，所述刷新电路用于读取所述非易失性存储单元中的存储数据，并将所述存储数据写回所述非易失性存储单元。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：控制单元；
所述控制单元与所述刷新电路相连，用于控制所述刷新电路的工作状态；
其中，所述工作状态至少包括刷新频率。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，还包括：计时器，所述计时器分别与所述控制单元、所述刷新电路相连；
所述控制单元，还用于控制所述计时器的计时周期，以触发所述刷新电路以与所述计时周期匹配的刷新频率读取所述非易失性存储单元中的存储数据，并将所述存储数据写回所述非易失性存储单元。
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述控制单元还用于控制所述刷新电路读取所述非易失性存储单元中目标存储区域中的存储数据，并将所述存储数据写回所述非易失性存储单元中所述目标存储区域。
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述非易失性存储单元包括非易失性存储器阵列和预设类型控制器；其中，所述预设类型控制器用于提供预设协议类型的接口。
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述预设协议类型至少包括下述之一：静态随机存取存储器接口协议和增强动态随机存取存储器接口协议。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的存储器，其特征在于，所述刷新电路的刷新频率为分钟级别或者小时级别。
8.一种神经形态芯片，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1-7任一项所述的存储器。
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，当所述存储器的数量为一个时，所述存储器以总线连接形式与所述芯片中的每个神经元计算核心连接。
10.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，当所述存储器的数量为多个时，所述存储器与所述芯片中的多个神经元计算核心呈分布式对应连接。
11.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，一个所述存储器嵌入式地分布在一个或者指定的多个所述神经元计算核心区域。
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