[发明专利]一种面板结构及其电容区域结构的制备方法

权利要求书

1.一种面板结构，其特征在于，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一玻璃层，所述第一玻璃层表面上设有第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层上设有两个以上的第一开口，在所述第一开口中依次填充有第一半导体层和第一绝缘层，所述第一绝缘层远离所述第一玻璃层的一侧面上设有两个以上的第二开口，所述第二开口的数量与所述第一开口的数量相同，两个以上的所述第二开口与两个以上的所述第一开口一一对应设置，所述第二开口中填充有第一透明导电层。

2.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述第一开口和第二开口均为盲孔。

3.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述第一开口和第二开口的竖直截面的形状均为等腰梯形。

4.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述第一透明导电层的材质为氧化铟锡。

5.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，在所述第一透明导电层远离所述第一玻璃层的一侧面上依次层叠设有第一画素定义层和第一透明阴极层。

6.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，还包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括第二玻璃层，在所述第二玻璃层表面上依次层叠设有第二栅极绝缘层、第二半导体层、第二绝缘层、蚀刻阻挡层、第一金属层和第二绝缘层；

所述第二绝缘层对应所述第二半导体层的位置上设有两个第一过孔，所述蚀刻阻挡层和第一金属层均设置在所述两个第一过孔之间，所述第一过孔中填充有第二透明导电层，所述第二透明导电层远离所述第二玻璃层的一侧面上设有第二金属层，所述第二透明导电层对应所述第一金属层的位置上设有一个第二过孔，所述第二金属层上设有一个第三过孔，所述第二过孔与所述第三过孔相对设置且相通。

7.根据权利要求6所述的面板结构，其特征在于，所述TFT区域结构还包括第二画素定义层，所述第二画素定义层设置在所述第二金属层远离所述第二玻璃层的一侧面上，所述第二画素定义层上设有一个第四过孔，所述第四过孔中填充有第二透明阴极层，所述第四过孔中填充的第二透明阴极层与所述第二金属层接触。

8.一种面板结构的电容区域结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一电容区域结构的第一玻璃层，且在所述第一玻璃层表面覆盖第一栅极绝缘层；

S2、在所述第一栅极绝缘层中形成两个以上的第一开口，在所述第一开口中形成第一半导体层；

S3、形成第一绝缘层，且覆盖在所述第一半导体层表面；

S4、在所述第一绝缘层中形成两个以上的第二开口；所述第二开口的数量与所述第一开口的数量相同，两个以上的所述第二开口与两个以上的所述第一开口一一对应设置；

S5、在所述第二开口中形成第一透明导电层，且覆盖在所述第一绝缘层表面。