[发明专利]一种面板结构及其电容区域结构的制备方法在审
申请号: | 202011215253.2 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112466910A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 潜垚;苏智昱;黄志杰;阮桑桑;陈宇怀;陈伟;王宏煜 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 张明 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面板 结构 及其 电容 区域 制备 方法 | ||
本发明涉及面板显示技术领域,特别涉及一种面板结构及其电容区域结构的制备方法,通过设置在第一栅极绝缘层上设置两个以上的第一开口,在第一开口中依次填充有第一半导体层和第一绝缘层且在第一绝缘层上设置两个以上的第二开口,在不增加光罩的前提下,改变电容器上下电极的材料,第一半导体层和第一透明导电层作为电容器的上下电极板,以达到增大电容有效面积的同时,减少电容所占平面面积,从而实现单位面积电容量的提升,有利于实现更高分辨率的OLED显示技术。
技术领域
本发明涉及面板显示技术领域,特别涉及一种面板结构及其电容区域结构的制备方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(英文全称为Active-matrix Organic Light-emitting Diode,简称为AMOLED)显示器具有广阔的市场运用,AMOLED显示器与传统的液晶显示器相比,具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸,因此被越来越多的人关注。
有机发光二极管(英文全称为Organic Light-Emitting Diode,简称为OLED)显示器主要用于大尺寸显示,例如OLED电脑和OLED电视等。但是大尺寸显示器一直面临着提高开口率的问题,以及提高电容量这个永恒的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种能够提升面板内部的补偿电路的电容量的面板结构及其电容区域结构的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的第一种技术方案为:
一种面板结构,包括电容区域结构,所述电容区域结构包括第一玻璃层,所述第一玻璃层表面上设有第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层上设有两个以上的第一开口,在所述第一开口中依次填充有第一半导体层和第一绝缘层,所述第一绝缘层远离所述第一玻璃层的一侧面上设有两个以上的第二开口,所述第二开口的数量与所述第一开口的数量相同,两个以上的所述第二开口与两个以上的所述第一开口一一对应设置,所述第二开口中填充有第一透明导电层。
本发明采用的第二种技术方案为:
一种面板结构的电容区域结构的制备方法,包括以下步骤:
S1、提供一电容区域结构的第一玻璃层,且在所述第一玻璃层表面覆盖第一栅极绝缘层;
S2、在所述第一栅极绝缘层中形成两个以上的第一开口,在所述第一开口中形成第一半导体层;
S3、形成第一绝缘层,且覆盖在所述第一半导体层表面;
S4、在所述第一绝缘层中形成两个以上的第二开口;所述第二开口的数量与所述第一开口的数量相同,两个以上的所述第二开口与两个以上的所述第一开口一一对应设置;
S5、在所述第二开口中形成第一透明导电层,且覆盖在所述第一绝缘层表面。
本发明的有益效果在于:
通过设置在第一栅极绝缘层上设置两个以上的第一开口,在第一开口中依次填充有第一半导体层和第一绝缘层且在第一绝缘层上设置两个以上的第二开口,在不增加光罩的前提下,改变电容器上下电极的材料,第一半导体层和第一透明导电层作为电容器的上下电极板,以达到增大电容有效面积的同时,减少电容所占平面面积,从而实现单位面积电容量的提升,有利于实现更高分辨率的OLED显示技术。本方案设计的面板结构,在维持现有OLED晶体管器件制作工艺流程的前提下,能够达到提升面板内部的补偿电路的电容量。
附图说明
图1为根据本发明的一种面板结构的结构示意图;
图2为根据本发明的一种面板结构的结构示意图;
图3为根据本发明的一种面板结构的第一开口的尺寸示意图;
图4为根据本发明的一种面板结构的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的