[发明专利]抗蚀剂组成物及图案形成方法

说明书

本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物，以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。式中，W₁表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W₂表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M⁺表示鎓阳离子。

技术领域

本发明关于抗蚀剂组成物及图案形成方法。

背景技术

伴随LSI的高集成化与高速化，微细化也在急速进展。就最先进的微细化技术而言，现已实施将水等液体插入于投影透镜与基板之间来实施曝光的ArF浸润式光刻达成的量产，且现正进行ArF光刻的多重曝光(多重图案化，multi-patterning)、波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻等的探讨。

上述光刻所使用的化学增幅型抗蚀剂材料之中，使用因曝光而分解并产生酸的化合物(以下称“酸产生剂”)，而通过将酸产生剂中的结构最适化，可抑制酸扩散，并能形成高分辨率的图案。已有人探讨如此的酸产生剂，例如专利文献1～4所揭示者。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2008-074843

[专利文献2]日本特开2009-191054

[专利文献3]日本特开2011-126869

[专利文献4]日本特开2012-072108

发明内容

发明要解决的问题

当更进一步微细化时，以往探讨的酸产生剂就以分辨率、抗蚀剂图案形状为代表的诸多性能方面，并不一定足够。

本发明是为了解决上述问题而成的，目的为提供在光学光刻中，展现良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物及图案形成方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明提供一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B-1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。

[化1]

式中，W₁表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W₂表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团，A₁、A₂分别独立地表示氢原子或三氟甲基，B₁、B₂分别独立地表示氢原子、氟原子或三氟甲基，*表示和羰基氧基的原子键。m表示0～4，n表示0～1的整数。M⁺表示鎓阳离子。

若为如此的本发明的抗蚀剂组成物，则在光学光刻中会展现良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)。

此时，前述通式(B-1)中的W₁宜为碳数6～12的含有内酯环结构的环状2价烃基。