[发明专利]低压线性稳压器

权利要求书

1.一种低压线性稳压器，其特征在于，包括：

耗尽型NMOS管，所述耗尽型NMOS管的漏极连接输入电压，所述耗尽型NMOS管的源极连接输出端；

第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述耗尽型NMOS管的源极；

第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述耗尽型NMOS管的栅极和所述第一电阻的第二端；

温度系数调节电路，所述温度系数调节电路连接在所述第二电阻的第二端与参考地之间。

2.如权利要求1所述的低压线性稳压器，其特征在于，所述温度系数调节电路包括增强型NMOS管，所述增强型NMOS管的漏极和栅极连接所述第二电阻的第二端，所述增强型NMOS管的源极连接参考地。

3.如权利要求1所述的低压线性稳压器，其特征在于，所述温度系数调节电路包括NPN三极管，所述NPN三极管的集电极和基极连接所述第二电阻的第二端，所述NPN三极管的发射极连接参考地。

4.如权利要求1所述的低压线性稳压器，其特征在于，所述温度系数调节电路包括增强型NMOS管、第三电阻和第四电阻；

所述增强型NMOS管的漏极连接所述第二电阻的第二端，所述增强型NMOS管的源极连接参考地；

所述第三电阻的第一端连接所述第二电阻的第二端，所述第三电阻的第二端连接所述增强型NMOS管的栅极；

所述第四电阻的第一端连接所述增强型NMOS管的栅极，所述第四电阻的第二端连接参考地。

5.如权利要求1所述的低压线性稳压器，其特征在于，所述温度系数调节电路包括NPN三极管、第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻的第一端连接所述第二电阻的第二端，所述第三电阻的第二端连接所述NPN三极管的基极；

所述第四电阻的第一端连接所述NPN三极管的基极，所述第四电阻的第二端连接参考地。

6.如权利要求2或4所述的低压线性稳压器，其特征在于，通过调节所述增强型NMOS管的沟道宽长比，使所述耗尽型NMOS管的温度系数与所述增强型NMOS管的温度系数相对应。

7.如权利要求6所述的低压线性稳压器，其特征在于，通过调节所述第二电阻和第一电阻的阻值之比，使所述耗尽型NMOS管的温度系数与所述增强型NMOS管的温度系数相对应。

8.如权利要求3或5所述的低压线性稳压器，其特征在于，通过调节所述第二电阻和第一电阻的阻值之比，使所述耗尽型NMOS管的温度系数与所述NPN三极管的温度系数相对应。

9.如权利要求1至5任意一项所述的低压线性稳压器，其特征在于，还包括反馈电路，所述反馈电路包括比较器、第五电阻和第六电阻；

所述第五电阻的第一端连接所述耗尽型NMOS管的源极，所述第五电阻的第二端连接所述第六电阻的第一端，所述第六电阻的第二端连接参考地；

所述比较器的输出端连接所述耗尽型NMOS管的栅极；

所述比较器的正端连接参考电压，所述比较器的负端连接所述第五电阻的第二端。