[发明专利]低压线性稳压器

说明书

低压线性稳压器，包括：耗尽型NMOS管，所述耗尽型NMOS管的漏极连接输入电压，所述耗尽型NMOS管的源极连接输出端；第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述耗尽型NMOS管的源极；第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述耗尽型NMOS管的栅极和所述第一电阻的第二端；温度系数调节电路，所述温度系数调节电路连接在所述第二电阻的第二端与参考地之间。所述低压线性稳压器能够为集成电路提供在一定范围内的稳定所需电压。

技术领域

本发明涉及稳压器领域，尤其涉及一种低压线性稳压器。

背景技术

集成电路芯片中，常遇到供电电压比器件的耐压高的情况，需要在芯片内部将高的供电电压转换到一定范围内且器件能够耐受的电压，使电路能够正常稳定地工作且不会损坏。

有多种方式可以实现供电电压的转换。线性稳压器(Linear Regulator)，特别是低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO)是一种常用的电压转换方法。

但是大多数低压线性稳压器都需要一定的辅助启动电路，使系统内部先产生一个电压基准，并根据该基准对输出电压进行调节稳压；稳压二极管是一种简单的电压基准，但是在该器件在很多集成电路工艺上没有或是该电压基准的电压太高，无法满足现代工艺中器件工作电压越来越低的要求。

许多现代集成电路加工工艺中都有耗尽型MOS管(depletion MOS)，这种器件具有“常开”的特性，即在小于0V的栅-源电压(Gate-to-Source电压，或Vgs)下，其沟道是处于开通的状态。利用这个负阈值电压的特性，该器件常被用来作为电子系统的启动电路。另一种类似的器件是JFET，但是这种器件结构比较特殊，大多数集成电路工艺没有提供该器件。

更多有关现有低压线性稳压器的内容请参考公开号为CN1210636C、CN107066003A和CN108008755A的相应内容。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种线性稳压器，能够为集成电路提供在一定范围内的所需稳定电压。

为解决上述问题，本发明提供了一种低压线性稳压器，包括：耗尽型NMOS管，所述耗尽型NMOS管的漏极连接输入电压，所述耗尽型NMOS管的源极连接输出端；第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述耗尽型NMOS管的源极；第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述耗尽型NMOS管的栅极和所述第一电阻的第二端；温度系数调节电路，所述温度系数调节电路连接在所述第二电阻的第二端与参考地之间。

可选的，所述温度系数调节电路包括增强型NMOS管，所述增强型NMOS管的漏极和栅极连接所述第二电阻的第二端，所述增强型NMOS管的源极连接参考地。

可选的，所述温度系数调节电路包括NPN三极管，所述NPN三极管的集电极和基极连接所述第二电阻的第二端，所述NPN三极管的发射极连接参考地。

可选的，所述温度系数调节电路包括增强型NMOS管、第三电阻和第四电阻；所述增强型NMOS管的漏极连接所述第二电阻的第二端，所述增强型NMOS管的源极连接参考地；所述第三电阻的第一端连接所述第二电阻的第二端，所述第三电阻的第二端连接所述增强型NMOS管的栅极；所述第四电阻的第一端连接所述增强型NMOS管的栅极，所述第四电阻的第二端连接参考地。

可选的，所述温度系数调节电路包括NPN三极管、第三电阻和第四电阻；所述第三电阻的第一端连接所述第二电阻的第二端，所述第三电阻的第二端连接所述NPN三极管的基极；所述第四电阻的第一端连接所述NPN三极管的基极，所述第四电阻的第二端连接参考地。

可选的，通过调节所述增强型NMOS管的沟道宽长比，使所述耗尽型NMOS管的温度系数与所述增强型NMOS管的温度系数相对应。

可选的，通过调节所述第二电阻和第一电阻的阻值之比，使所述耗尽型NMOS管的温度系数与所述增强型NMOS管的温度系数相对应。