[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，形成有芯片区以及切割线区；

第一密封环以及第二密封环，设置在所述芯片区与所述切割线区之间，所述第二密封环围绕所述芯片区而设，所述第一密封环围绕所述第二密封环而设；

测试垫，设置在所述切割线区；

其中，第二密封环内形成与所述测试垫连接的测试导线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封环包括层叠设置的第一金属配线组以及第二金属配线组，所述第一金属配线组与所述第二金属配线组绝缘连接，所述第一金属配线组与所述半导体衬底电连接，所述第一金属配线组、所述第二金属配线组分别包括层叠设置的多层金属配线，其中，将至少部分所述第一金属配线组作为所述测试导线与所述测试垫连接，以测量至少部分所述第一金属配线组的电特性。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，将所述第一金属配线组内的至少一层金属配线作为所述测试导线与所述测试垫连接，以测量至少一层金属配线的电特性。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，作为所述测试导线的金属配线在水平方向上呈蛇形布置，且所述蛇形在折弯处的夹角呈90°。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，作为所述测试导线的金属配线在水平方向上一部分呈蛇形布置，一部分呈直线形。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，作为所述测试导线的金属配线向外延伸与所述测试垫连接。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属配线组还包括将两层相邻的金属配线连接的过孔连接件，将至少一个所述过孔连接件作为所述测试导线与所述测试垫连接，以测量至少一个所述过孔连接件的电特性。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封环内所有的金属配线在竖直方向上的位置对应。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封环内所有的金属配线在竖直方向上错位设置。