[发明专利]一种半导体外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011219662.X | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112038230A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 林慧妮;林群证;龚柏铧 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成牺牲氧化层；
以所述牺牲氧化层为阻挡层，对所述衬底进行离子注入，获得第一半导体结构；
将多个所述第一半导体结构分为第一组单元和第二组单元，所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构间隔穿插设置，且相邻所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构的所述外延所在侧相对设置；
采用湿法刻蚀同时对所述第一组单元的第一半导体结构和所述第二组单元的第一半导体结构进行刻蚀，去除部分所述牺牲氧化层；
在剩余所述牺牲氧化层表面形成栅极氧化层；
在所述栅极氧化层上形成栅极层，获得所述半导体外延结构。
2.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，剩余所述牺牲氧化层的厚度小于等于4.5Å。
3.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构数量相等。
4.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度大于剩余所述牺牲氧化层的厚度。
5.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，采用氢氟酸或热磷酸进行所述湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层。
6.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，采用原位蒸汽合成法于所述衬底表面生长所述牺牲氧化层。
7.根据权利要求6所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述原位蒸汽合成法采用氢气和氧气。
8.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述牺牲氧化层为氧化硅层。
9.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层、剩余所述牺牲氧化层与所述衬底之间设有隔离结构。
10.根据权利要求9所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：刻蚀所述衬底形成第一沟槽，在所述第一沟槽的底面及侧壁上形成第一氧化层，填充所述第一沟槽形成所述隔离结构。
11.一种半导体外延结构，其特征在于，所述半导体外延结构采用如权利要求1-10中任一所述半导体外延结构的制备方法形成，所述半导体外延结构包括：
所述衬底，其包括有离子注入区；
所述牺牲氧化层，其形成于所述衬底上；
所述栅极氧化层，其形成于所述牺牲氧化层上；
所述栅极层，其形成于所述栅极氧化层上。
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