[发明专利]一种低弧引线键合强度评价方法在审
申请号: | 202011220303.6 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112349611A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 车勤;金龙;徐娟;张辉 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 强度 评价 方法 | ||
本发明公开了一种低弧引线键合强度评价方法,包括以下步骤:制作基板样片,在基板样片上开设一可插入拉力钩的空腔槽;对基板样片上的两个键合区进行引线楔形键合;采用键合拉力测试方法进行测试,对引线的第一键合点的宽度、长度和键合机参数、键合拉力测试数据进行计算分析,得到键合拉力与键合点宽度和键合机参数之间的对应关系;根据该对应关系,通过测量第一键合点的宽度即可判断评价出实际基板上同样弧高、跨距的引线键合拉力强度。本方法不需重复制作基板样片,就可以对引线键合强度进行评价;给出楔形焊点宽度、键合参数、可靠性拉力测试数据一一对应的模型图,便于生产加工中对同样跨度、弧高范围的键合线进行评价。
技术领域
本发明属于组装键合工艺技术,可用于微波芯片低弧、短跨距的楔形键合强度评价。
背景技术
引线键合是微波器件组装的关键技术,对微波电路的特性有着重要的影响。微波芯片的互连键合线有别于普通电路,为了尽量降低导线的感抗和阻抗,要求键合线弧度尽量降低,长度尽量短。在相同跨距下,楔形键合可以获得比球形键合工艺更小的弧高和线长,且更容易控制键合线的几何形状,因此在进行微波电路键合时首选楔形键合工艺。但是键合弧度过低,很难进行键合拉力测试,所以低弧度楔形键合缺少有效的键合强度评价和控制手段。
引线键合强度的评价通常是按照《GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序》方法2011.1的规定,在键合引线(该引线是连接两个键合区)下方插入一个拉力钩,大约在引线弧形最高点施加拉力。该力方向与芯片或基板表面垂直,或与两键合垫肩的直线大致垂直。当出现失效时,记录引起失效的力的大小和失效类别。对于25μm金丝在封盖前,最小合格拉力是2.5gf。然而对于低弧,短跨距的键合线,因为拉力钩不能放入键合线的下方,因此无法进行键合拉力测试。
为改善微波电路的特性,需要实现短跨距、低弧度的引线键合,在实际的微波芯片楔形键合过程中定义短跨距、低弧度为:跨距100μm~350μm、线拱高≤50μm。针对这种低弧短跨距的引线键合模式,现有的拉力测试方法难以对这种弧高的键合强度进行测试,本发明旨在用替代评价的方法解决低弧度、短跨距楔形键合强度评价问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种低弧引线键合强度的替代评价方法,解决现有的键合线拉力测试方法,无法对低弧、短跨距键合线进行拉力测试、评价的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供的一种低弧引线键合强度评价方法,包括以下步骤:
步骤1、制作基板样片,用激光划切的方式,在基板样片上的两个键合区开设一个可插入拉力钩的空腔槽;
步骤2、在基板样片上的两个键合区之间进行引线楔形键合;
步骤3、采用规定的键合拉力测试方法进行测试,对引线的第一键合点和键合机参数、键合拉力测试数据进行计算分析,得到键合拉力与键合点宽度和键合机参数之间的对应关系;
步骤4、根据该对应关系,通过测量第一键合点的宽度判断评价出实际基板上同样弧高、跨距引线的键合拉力强度。
进一步地,步骤3中,对第一键合点的宽度与实际测试的键合拉力值,以及键合机的参数进行一一对应分析,确定第一键合点宽度与键合拉力值之间的对应关系,通过键合点宽度,判断引线的键合强度,
进一步地,对第一键合点的宽度与实际测试的拉力值,以及键合机的参数进行一一对应分析,确定第一键合点宽度与键合拉力值之间的对应关系,确定键合拉力值最大且键合拉力值稳定时对应的键合点宽度,最终确定最佳的键合点宽度,以及对应最大引线拉力的强度。
进一步地,所述引线为跨距100μm~350μm,弧度≤50μm的楔形键合引线。
进一步地,步骤3中,采用键合拉力测试方法进行测试时,不断增大施加在第一键合点的功率和时间,键合压力保持稳定,使第一键合点形变宽度至少增长到线径的2倍以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造