[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

基底；

电阻式随机存取存储器，位于该基底上，包含有上电极、下电极以及电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间；以及

帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有上半部分以及下半部分，且该上半部分与该下半部分所包含的应力不同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上半部分包含有压力，且该下半部分包含有拉力。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上半部分包含有较大压力，该下半部分包含有较小压力。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上电极的水平宽度小于该下电极的水平宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上半部分与该下半部分之间包含有交界，且该交界在水平方向上与该电阻式随机存取存储器的该电阻转换层重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该帽盖层的材质包含有氮化硅。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该下半部分包含有第一离子，其中该第一离子包含硼离子。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该上半部分包含有第二离子，其中该第二离子包含磷离子、锗离子或氩离子。

9.一种半导体结构的形成方法，包含：

提供基底；

形成电阻式随机存取存储器于该基底上，该电阻式随机存取存储器包含有上电极、下电极以及电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间；以及

形成帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有上半部分以及下半部分，且该上半部分与该下半部分所包含的应力不同。

10.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上半部分包含有压力，且该下半部分包含有拉力。

11.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上半部分包含有较大压力，该下半部分包含有较小压力。

12.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上电极的水平宽度小于该下电极的水平宽度。

13.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上半部分与该下半部分之间包含有交界，且该交界在水平方向上与该电阻式随机存取存储器的该电阻转换层重叠。

14.根据权利要求9所述的形成方法，其中该帽盖层的材质包含有氮化硅。

15.根据权利要求14所述的形成方法，其中该下半部分包含有第一离子，其中该第一离子包含硼离子。

16.根据权利要求14所述的形成方法，其中该上半部分包含有第二离子，其中该第二离子包含磷离子、锗离子或氩离子。

17.根据权利要求9所述的形成方法，其中在该帽盖层形成后，还包含进行第一次离子掺杂步骤以及第二次离子掺杂步骤，以分别对该帽盖层掺杂不同的离子。

18.根据权利要求17所述的形成方法，其中该第一次离子掺杂步骤以及该第二次离子掺杂步骤进行时，对该帽盖层的掺杂角度不同。

19.根据权利要求9所述的形成方法，其中该帽盖层形成之前，还包含先进行部分蚀刻步骤，在该电阻转换层与该下电极之间形成凹陷缺口。