[发明专利]一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构及LED芯片

权利要求书

1.一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，包括主二极管D1，所述主二极管D1上设有金属电极P1和金属电极N1；其特征在于：所述主二极管D1正向设置；还包括反向二极管D2和电阻R1，所述反向二极管D2和所述电阻R1串联后与所述主二极管D1并联。

2.根据权利要求1所述的一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，其特征在于：所述反向二极管D2上设有金属电极P2和金属电极N2；所述电阻R1串联在所述金属电极P2上。

3.根据权利要求2所述的一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，其特征在于：还包括第二金属连接片(11)，所述第二金属连接片(11)将所述电阻R1和所述金属电极P2电连接。

4.根据权利要求2所述的一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，其特征在于：所述金属电极N2电连接所述金属电极P1。

5.根据权利要求4所述的一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，其特征在于：所述电阻R1电连接所述金属电极N1。

6.根据权利要求4所述的一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，其特征在于：还包括第一金属连接片(10)，所述第一金属连接片(10)将所述电阻R1和所述金属电极N1电连接。

7.根据权利要求6所述的一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，其特征在于：所述第一金属连接片(10)靠近所述电阻R1的端部下侧设有绝缘层(12)，所述绝缘层(12)将所述电阻R1隔绝开。

8.一种LED芯片，其特征在于：包括蓝宝石衬底(1)、外延过渡层(2)、N型外延层(3)、量子阱发光层(4)、P型外延层(5)、ITO扩展电极(6)，以及如权利要求1-7任一项所述的结构。