[发明专利]一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构及LED芯片

说明书

本发明公开了一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，包括主二极管D1，所述主二极管D1上设有金属电极P1和金属电极N1；所述主二极管D1正向设置；还包括反向二极管D2和电阻R1，所述反向二极管D2和所述电阻R1串联后与所述主二极管D1并联。进一步地，所述反向二极管D2上设有金属电极P2和金属电极N2；所述电阻R1串联在所述金属电极P2上。LED芯片集成一个反向抗静电冲击保护结构，该保护结构由一个电阻和二极管正向构成，该结构可以保护LED芯片主芯片方向不会被高压静电打坏而失效。

技术领域

本发明涉及LED芯片，具体是一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构及LED芯片。

背景技术

目前LED芯片在照明、数码等领域应用越来越多，对LED芯片的性能要求也越来越高。

抗静电冲击能力是其中一个重要指标，如图1和图2所示是现有技术LED芯片，现有LED芯片典型的抗静电冲击能力正反向差异很大，比较好的LED芯片二极管正向抗静电冲击可以达到3000V以上，而二极管方向的抗静电冲击能力小于2000V，正反向差异达到三分之一以上。在实际应用中，常常因为反向抗静电能力不够而失效。

发明内容

为解决上述现有技术的缺陷，本发明提供一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构及LED芯片，LED芯片集成一个反向抗静电冲击保护结构，该保护结构由一个电阻和二极管正向构成，该结构可以保护LED芯片主芯片方向不会被高压静电打坏而失效。

为实现上述技术目的，本发明采用如下技术方案：一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，包括主二极管D1，所述主二极管D1上设有金属电极P1和金属电极N1；所述主二极管D1正向设置；还包括反向二极管D2和电阻R1，所述反向二极管D2和所述电阻R1串联后与所述主二极管D1并联。

进一步地，所述反向二极管D2上设有金属电极P2和金属电极N2；所述电阻R1串联在所述金属电极P2上。

进一步地，还包括第二金属连接片，所述第二金属连接片将所述电阻R1和所述金属电极P2电连接。

进一步地，所述金属电极N2电连接所述金属电极P1。

进一步地，所述电阻R1电连接所述金属电极N1。

进一步地，还包括第一金属连接片，所述第一金属连接片将所述电阻R1和所述金属电极N1电连接。

进一步地，所述第一金属连接片靠近所述电阻R1的端部下侧设有绝缘层，所述绝缘层将所述电阻R1隔绝开。

一种LED芯片，包括蓝宝石衬底、外延过渡层、N型外延层、量子阱发光层、P型外延层、ITO扩展电极，以及上述所述的结构。

综上所述，本发明取得了以下技术效果：

本发明保护结构，集成在LED芯片内部，加工工艺和LED芯片制备工艺相同，不增加多余工序，可以提高LED芯片反向抗静电冲击能力，提高后，LED芯片反向抗静电能力与正向抗静电能力相当，不会因为反向抗静电冲击能力薄弱而造成静电打坏失效。

附图说明

图1是现有技术中芯片的示意图；

图2是现有技术中芯片的等效电路；

图3是本发明实施例提供的等效电路；

图4是本发明实施例提供的芯片的俯视图；

图5是本发明实施例提供的芯片的侧视图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明作进一步详细说明。