[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

框架，所述框架具有贯通开口；

多个半导体芯片，所述多个半导体芯片包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述贯通开口中，并且具有其上设置有第一连接焊盘的第一有源表面和与所述第一有源表面相对的第一无源表面，所述第二半导体芯片设置在所述第一半导体芯片上，并且具有其上设置有第二连接焊盘的第二有源表面和与所述第二有源表面相对的第二无源表面；

第一凸块和第二凸块，所述第一凸块和所述第二凸块分别电连接到所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘；

第一虚设凸块和第二虚设凸块，所述第一虚设凸块和所述第二虚设凸块分别设置在与所述第一凸块的水平高度相同的水平高度和与所述第二凸块的水平高度相同的水平高度；

第一柱和第二柱，所述第一柱和所述第二柱分别电连接到所述第一凸块和所述第二凸块；

第一连接构件，所述第一连接构件包括电连接到所述第一柱和所述第二柱中的每一者的第一再分布层；以及

虚设柱，所述虚设柱设置在所述框架与所述第一连接构件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一柱的上表面和所述第二柱的上表面与所述虚设柱的上表面基本上共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第一填充层，所述第一填充层覆盖所述第一半导体芯片的所述第一有源表面和所述第一无源表面。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第二填充层，所述第二填充层覆盖所述第二半导体芯片的所述第二有源表面，

其中，所述第二填充层围绕所述第一柱的至少一部分和所述虚设柱的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述第二填充层的至少一部分与所述第一填充层的至少一部分直接接触。

6.根据权利要求4所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第二连接构件，所述第二连接构件设置在所述第一填充层与所述第二填充层之间，并且包括第一层间绝缘层、第二再分布层和第一再分布通路。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述第一柱的下部的宽度大于所述第一凸块的宽度，

其中，所述第二柱的下部的宽度大于所述第二凸块的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一凸块和所述第二凸块均具有等于或小于30μm的高度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一半导体芯片的所述第一有源表面上覆盖所述第一凸块的侧表面和所述第一虚设凸块的侧表面。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

凸块下金属层，所述凸块下金属层电连接到所述第一再分布层；以及

导电图案，所述导电图案电连接到所述凸块下金属层。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

下半导体芯片；以及

内插基板，所述内插基板设置在所述下半导体芯片上，

其中，所述导电图案电连接到所述内插基板。