[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件包括：具有贯通开口的框架；第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片设置在贯通开口中并且具有其上设置有第一连接焊盘的第一有源表面和与第一有源表面相对的第一无源表面，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上并且具有其上设置有第二连接焊盘的第二有源表面和与所述第二有源表面相对的第二无源表面；第一和第二凸块，分别电连接到第一连接焊盘和第二连接焊盘；第一和第二虚设凸块，分别设置在与第一凸块的水平高度相同的水平高度和第二凸块的水平高度相同的水平高度；第一和第二柱，分别电连接到第一凸块和第二凸块；连接构件，包括电连接到第一柱和第二柱中的每一者的再分布层；以及虚设柱，设置在框架与连接构件之间。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0166308的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及半导体封装件。

背景技术

随着对具有高容量以及减小的厚度和尺寸的电子产品的需求增加，已经开发了各种形式的半导体封装件。在各种类型的半导体封装技术中，已经开发了将单个封装件构造为包括多个半导体芯片的封装技术。

发明内容

本发明构思的示例性实施例将提供一种半导体封装件，其可以使用低成本工艺在基板上实现高密度的布线。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体封装件包括：框架，所述框架具有贯通开口；多个半导体芯片，所述多个半导体芯片包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述贯通开口中，并且具有其上设置有第一连接焊盘的第一有源表面和与所述第一有源表面相对的第一无源表面，所述第二半导体芯片设置在所述第一半导体芯片上，并且具有其上设置有第二连接焊盘的第二有源表面和与所述第二有源表面相对的第二无源表面。所述半导体封装件还包括：第一凸块(bump)和第二凸块，所述第一凸块和所述第二凸块分别电连接到所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘；第一虚设凸块和第二虚设凸块，所述第一虚设凸块和所述第二虚设凸块分别设置在与所述第一凸块的水平高度相同的水平高度和所述第二凸块的水平高度相同的水平高度；第一柱和第二柱，所述第一柱和所述第二柱分别电连接到所述第一凸块和所述第二凸块；连接构件，所述连接构件包括电连接到所述第一柱和所述第二柱中的每一者的再分布层；以及虚设柱，所述虚设柱设置在所述框架与所述连接构件之间。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体封装件包括：框架，所述框架具有贯通开口；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述框架的所述贯通开口中，并且具有其上设置有第一连接焊盘的第一有源表面和与所述第一有源表面相对的第一无源表面；第一凸块图案，所述第一凸块图案包括在所述第一半导体芯片的所述第一有源表面上连接到所述第一连接焊盘的第一凸块以及不连接到所述第一连接焊盘的至少一个第一虚设凸块；以及第一填充层，所述第一填充层填充所述框架与所述第一半导体芯片之间的区域，覆盖所述第一半导体芯片的所述第一无源表面和所述框架的下表面，并且覆盖所述第一半导体芯片的所述第一有源表面的一部分。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体封装件包括：框架，所述框架具有贯通开口；多个半导体芯片；多个填充层，所述多个填充层分别围绕所述多个半导体芯片的侧表面；连接构件，所述连接构件设置在所述多个填充层上；多个柱，所述多个柱设置在所述多个填充层中；以及多个凸块，所述多个凸块分别电连接到所述多个半导体芯片。所述多个半导体芯片包括设置在所述贯通开口中的第一半导体芯片以及与所述第一半导体芯片和所述框架部分地交叠的第二半导体芯片。所述多个填充层包括在所述贯通开口中围绕所述第一半导体芯片的侧表面的第一填充层以及围绕所述第二半导体芯片的侧表面的第二填充层。所述多个凸块包括电连接到所述第一半导体芯片的第一连接焊盘的第一凸块以及电连接到所述第二半导体芯片的第二连接焊盘的第二凸块。所述多个柱包括在所述第一填充层上穿透所述第二填充层并且电连接到所述第一凸块的第一柱以及在所述框架上穿透所述第二填充层的多个虚设柱。

附图说明