[发明专利]芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片

权利要求书

1.一种芯片钝化层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构，其中，参与沉积的反应气体是SiH₄与N₂，SiH₄与N₂的稀释比为1:3；或者参与沉积的反应气体是SiH₄与N₂O，SiH₄与N₂O的稀释比为1:3，其中N₂O的流速为200cm/min；

在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构，其中，所述非晶硅的生长条件是：生长温度为200℃、反应室压力为1Torr、反应气体是SiH₄与H₂的稀释比为1:1-1:12，其中SiH₄流量为100sccm；

在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，其中，所述氧化硅沉积的条件是：反应气体SiH₄与N₂O的稀释比为1:3，其中N₂O的流速为200cm/min；

对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；

利用六氟化硫对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；

以氢氟酸为腐蚀液，释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构，包括：

采用等离子体增强化学气相沉积PECVD法在所述硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得所述第一结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构，包括：

采用PECVD法在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得所述第二结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，包括：

采用PECVD法在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，其中所述第三结构的最上层为氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构，包括：

通过光刻机将掩模版上的图形印制到所述第三结构中的氧化硅层，获得具有图形的第四结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用六氟化硫对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构，包括：

利用所述六氟化硫对所述第四结构中的氧化硅层、非晶硅层的线宽控制区域进行蚀刻，获得具有蚀刻效果的第五结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以氢氟酸为腐蚀液，释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层，包括：

通过湿法腐蚀方法以所述氢氟酸为腐蚀液，释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构，包括：

采用热氧化、电感耦合等离子体化学气相沉积、激光等离子体汽相化学沉积中的任意一种方法在所述硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得所述第一结构。

9.一种芯片钝化层，其特征在于，所述芯片钝化层由所述权利要求1-8中任意一项所述的方法制备。

10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括所述权利要求1-8中任意一项所述的芯片钝化层的制备方法制备的芯片钝化层。