[发明专利]芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片

说明书

本发明公开了一种芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片，在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。由此通过沉积、生长、再沉积、图形化、蚀刻、释放操作，获得了工艺集成度高，且具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。

技术领域

本发明属于芯片制备领域，尤其涉及一种芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片。

背景技术

麦克风的芯片一般是采用微机电系统(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)。当前MEMS的钝化层一般是氮化硅材料，但是常规的氮化硅材料不耐氢氟酸的腐蚀，耐氢氟酸腐蚀的氮化硅材料需要在较高的生长温度从而限制了在MEMS上集成不耐高温器件。并且氮化硅材料的MEMS在刻蚀过程中需要较厚的材料以防止氢氟酸的侵蚀。并且由此导致芯片的可靠性和兼容性受限。

发明内容

本发明提供一种芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片，旨在实现提高芯片钝化层的可靠性和兼容性。

为实现上述目的，本发明提供一种芯片钝化层的制备方法，所述方法包括：

在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；

在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；

在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；

对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；

对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；

释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。

可选地，所述在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构，包括：

采用等离子体增强化学气相沉积PECVD法在所述硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得所述第一结构，其中反应气体是SiH₄与N₂或者SiH₄与N₂O。

可选地，所述在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构，包括：

采用PECVD法在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得所述第二结构，其中非晶硅的生长条件是：200℃，反应室压力1Torr，反应气体SiH₄与H₂的稀释比为1:1-1:12，其中SiH₄流量为100sccm。

可选地，所述在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，包括：

采用PECVD法在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，其中所述第三结构的最上层为氧化硅层，氧化硅沉积的条件是：反应气体SiH₄与N₂O的稀释比为1:3,其中N₂O的流速为200cm/min。

可选地，所述对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构，包括：

通过光刻机将掩模版上的图形印制到所述第三结构中的氧化硅层，获得具有图形的第四结构。

可选地，所述对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构，包括：

利用六氟化硫对所述第四结构中的氧化硅层、非晶硅层的线宽控制区域进行蚀刻，获得具有蚀刻效果的第五结构。

可选地，所述释放所述第五结构中的硬掩模，获得芯片钝化层，包括：