[发明专利]一种数据存储保护方法及装置有效

专利信息
申请号: 202011227400.8 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN112486408B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 张兆峰;华要宇;孔维凯 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C29/08;G11C29/50
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 张营磊
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 存储 保护 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种数据存储保护方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1.为存储系统中向SSD的FLASH并行发送数据的lun数量设置上限阈值;具体步骤如下:

S11.获取存储系统的保护电流上限;

S12.获取存储系统中lun总数量及每个lun向FLASH发送数据的通道电流值;

S13.根据保护电流上限、每个lun向FLASH发送数据的通道电流值设置lun并发数量上限阈值;

S2.将存储系统的过流保护模块设置为可调;具体步骤如下:

S21.将存储系统电源芯片的输出电感设置为可调;

S22.将存储系统电源芯片的过流保护电阻设置为可调;

S23.设置逻辑调整模块接收存储系统反馈后,调整过流保护电阻及输出电感;

S3.通过FIO压力工具,并根据lun并发数量上限阈值,对存储系统进行读写压力测试,验证SSD的FLASH中存储数据是否有效,并在存储数据无效时,通过调整过流保护模块提升保护电流上限;具体步骤如下:

S31.运行FIO压力测试工具;

S32.根据所需数据业务量与lun并发数量上限阈值的关系设置并发最大数据量;

S33.FIO压力测试工具根据并发最大数据量对存储系统进行压力测试;

S34.判断SSD的FLASH中存储数据是否有效;

若是,进入步骤S36;

若否,进入步骤S35;

S35.逻辑调整模块调整过流保护电阻的阻值,并调整输出电感值及饱和电流值,返回步骤S11;

S36.锁定过流保护电阻的阻值及输出电感值和饱和电流值。

2.如权利要求1所述的数据存储保护方法,其特征在于,步骤S32具体步骤如下:

S321.获取所需数据业务量;

S322.判断所需数据业务量是否大于lun并发数量上限阈值的最大业务量;

若是,进入步骤S323;

若否,进入步骤S324;

S323.以lun并发数量上限阈值的最大业务量为并发最大数据量,进入步骤S33;

S324.以所需数据业务量为并发最大数据量,进入步骤S33。

3.如权利要求2所述的数据存储保护方法,其特征在于,步骤S33具体步骤如下:

S331.当最大数据量为以lun并发数量上限阈值的最大业务量时,FIO压力测试工具根据所需数据业务量计算并发次数,通过并发最大数据量及并发次数完成对存储系统的压力测试;

S332.当最大数据量为所需数据业务量,FIO压力测试工具通过并发最大数据量一次完成对存储系统的压力测试。

4.一种数据存储保护装置,其特征在于,包括:

并发lun数量阈值设置单元(1),用于为存储系统中向SSD的FLASH并行发送数据的lun数量设置上限阈值;并发lun数量阈值设置单元(1)包括:

过流保护上限获取子单元(1.1),用于获取存储系统的保护电流上限;单位lun电流获取子单元(1.2),用于获取存储系统中lun总数量及每个lun向FLASH发送数据的通道电流值;

lun并发上限设置子单元(1.3),用于根据保护电流上限、每个lun向FLASH发送数据的通道电流值设置lun并发数量上限阈值;

过流保护可调设置单元(2),用于将存储系统的过流保护模块设置为可调;过流保护可调设置单元(2)包括:

电感可调设置子单元(2.1),用于将存储系统电源芯片的输出电感设置为可调;

过流保护电阻可调设置子单元(2.2),用于将存储系统电源芯片的过流保护电阻设置为可调;

逻辑调整模块设置子单元(2.3),用于设置逻辑调整模块接收存储系统反馈后,调整过流保护电阻及输出电感;

存储性能提升单元(3),用于通过FIO压力工具,并根据lun并发数量上限阈值,对存储系统进行读写压力测试,验证SSD的FLASH中存储数据是否有效,并在存储数据无效时,通过调整过流保护模块提升保护电流上限;存储性能提升单元(3)包括:

测试工具运行子单元(3.1),用于运行FIO压力测试工具;

并发最大数据量设置子单元(3.2),用于根据所需数据业务量与lun并发数量上限阈值的关系设置并发最大数据量;

压力测试子单元(3.3),用于通过FIO压力测试工具根据并发最大数据量对存储系统进行压力测试;

存储数据有效判断子单元(3.4),用于判断SSD的FLASH中存储数据是否有效;

过流保护调整子单元(3.5),用于存储数据无效时,设置逻辑调整模块调整过流保护电阻的阻值,并调整输出电感值及饱和电流值;

调整锁定子单元(3.6),用于锁定过流保护电阻的阻值及输出电感值和饱和电流值。

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