[发明专利]射频SOI结构及其制备方法

权利要求书

1.一种射频SOI结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供第一SOI晶圆及第二SOI晶圆，所述第一SOI晶圆包括第一底层硅、第一埋氧层、第一顶层硅，所述第二SOI晶圆包括第二底层硅、第二埋氧层、第二顶层硅；

去除所述第一SOI晶圆的第一底层硅，并去除所述第二SOI晶圆的第二顶层硅；

基于显露的所述第一埋氧层和所述第二埋氧层将所述第一SOI晶圆和所述第二SOI晶圆键合，且在所述第一SOI晶圆和所述第二SOI晶圆之间形成中间硅层及金属层，所述金属层基于金属键合工艺制备，键合温度介于200℃-400℃之间，所述金属层的厚度介于10nm-40nm之间，以减小污染，灵活进行不同电路的背偏压调节，实现不同频率的调制；

自键合结构的所述第一顶层硅一侧制备若干个第一隔离结构，所述第一隔离结构至少延伸至所述中间硅层底部；

在所述键合结构中制备若干个金属接触结构，所述金属接触结构自所述第一顶层硅延伸至所述金属层上，并与所述金属层电连接；

在所述第一顶层硅中制备若干个贯穿所述第一顶层硅的第二隔离结构；

在所述第一顶层硅中形成射频模块、模拟模块以及数字模块，其中，所述模拟模块与所述数字模块之间至少形成有所述第一隔离结构，所述射频模块与所述模拟模块之间以及所述射频模块与所述数字模块之间形成有所述第一隔离结构和所述第二隔离结构；所述第二隔离结构与所述第一隔离结构进行组合调配，实现射频模块、模拟模块以及数字模块的电路的集合，以实现从功能模块到晶体管级粒度的隔离，保证器件性能发挥的基础上可以简化结构，在不同功能模块之间排布不同的隔离连接结构，可以有效制造射频、模拟和数字电路集成的SoC芯片，有效解决衬底耦合噪声的限制；

其中，所述射频模块、所述模拟模块及所述数字模块依次排列，且所述射频模块与所述模拟模块之间依次形成有所述第一隔离结构、所述金属接触结构及所述第二隔离结构，所述模拟模块与所述数字模块之间形成有所述第一隔离结构；所述射频模块远离所述模拟模块的一侧依次形成有所述第二隔离结构、所述金属接触结构及所述第一隔离结构，所述数字模块远离所述模拟模块的一侧依次形成有所述第二隔离结构、所述金属接触结构及所述第一隔离结构。

2.根据权利要求1所述的射频SOI结构的制备方法，其特征在于，将所述第一SOI晶圆和所述第二SOI晶圆键合的方式包括：在所述第一埋氧层显露的表面或者所述第二埋氧层显露的表面依次制备缓冲层及金属键合材料层，基于所述金属键合材料层和所述缓冲层将所述第一SOI晶圆和所述第二SOI晶圆键合，其中，所述金属键合材料层形成所述金属层；所述中间硅层基于生长的方式形成在所述第一埋氧层与所述第二埋氧层之间。

3.根据权利要求2所述的射频SOI结构的制备方法，其特征在于，采用低温金属键合工艺基于所述金属键合材料层和所述缓冲层将所述第一SOI晶圆和所述第二SOI晶圆键合。

4.根据权利要求1所述的射频SOI结构的制备方法，其特征在于，所述金属接触结构位于所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间，与所述第一隔离结构和第二隔离结构相接触。

5.根据权利要求4所述的射频SOI结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括先制备第一初始隔离结构的步骤，所述金属接触结构制备在所述第一初始隔离结构中，以得到所述第一隔离结构及所述金属接触结构。