[发明专利]发光元件的检测方法、检测装置及基板在审
申请号: | 202011228993.X | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112331578A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 吴弘智 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L33/62;H01L23/544 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 检测 方法 装置 | ||
一种发光元件的检测方法,包括:提供设置有待检测的多个发光元件与多条导电走线的基板,每一发光元件包括分别与一条导电走线电性连接的正极与负极,基板对应每一个发光元件开设有一对通孔,每一对通孔分别对准与一个发光元件的正极与负极连接的导电走线;提供线圈结构,线圈结构包括第一线圈与第一线圈结构电性连接的两个导电插头;提供金属棒与缠绕金属棒且与交流电源电性连接的第二线圈;将两个导电插头分别插入一个发光元件对应的一对通孔内使第一线圈与该发光元件电性连接,启动交流电源并使金属棒朝向线圈结构移动,第一线圈产生感应电流驱动发光元件发光以检测该发光元件是否失效。本发明还提供一种检测多个发光元件的检测装置以及基板。
技术领域
本发明涉及一种发光元件的检测方法、检测发光元件的检测装置以及基板。
背景技术
微型发光元件的尺寸比较小,制作在一基板上的微型发光元件的数量通常有上万颗。现有技术通常采用探针直接接触微型发光元件的电极方式来测量判断微型发光元件是否能够正常发光。由于基板上的微型发光元件数量众多,微型发光元件的尺寸小且相邻微型发光元件的间距也很小,在检测单颗微型发光元件过程中,要准确地接触微型发光元件的电极非常花费时间,且直接接触微型发光元件测量方法也会存在破坏微型发光元件的风险。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种发光元件的检测方法,以解决检测发光元件过程中直接接触发光元件的电极时产生的耗时与易损坏发光元件的问题。
本发明提供一种发光元件的检测方法,包括:
提供设置有待检测的多个发光元件与多条导电走线的基板,每一发光元件包括正极与负极,所述正极与所述负极分别连接一条导电走线,所述基板对应每一个发光元件开设有一对通孔,每一对通孔分别对准与一个发光元件的所述正极和所述负极连接的导电走线;
提供线圈结构,所述线圈结构包括第一线圈与两个导电插头,所述两个导电插头分别与所述第一线圈的两端电性连接;
提供金属棒与缠绕所述金属棒的第二线圈,所述第二线圈与交流电源电性连接;以及,
当检测所述基板上的发光元件时,将所述线圈结构的两个导电插头分别插入一个发光元件对应的一对通孔内,使所述第一线圈与该发光元件电性连接,启动所述交流电源,并使所述金属棒朝向所述线圈结构移动,从而使所述第一线圈形成感应电流用于驱动发光元件发光,以检测该发光元件是否失效。
本发明还提供一种检测多个发光元件的检测装置,用于检测一基板上的所述多个发光元件是否有效,包括:
线圈结构,包括第一线圈与两个导电插头,所述两个导电插头分别与所述第一线圈的两端电性连接;
金属棒;以及,
缠绕所述金属棒的第二线圈,所述第二线圈与交流电源电性连接。
本发明还提供一种基板,所述基板上设置有多个发光元件与多条导电走线,每一发光元件包括正极与负极,所述正极与所述负极分别连接一条所述导电走线,所述基板对应每一个发光元件开设有一对通孔,每一对所述通孔分别对准与一个发光元件的所述正极与所述负极连接的导电走线。
相对于现有技术,在该检测方法中,将所述线圈结构的两个导电插头插入需检测的发光元件对应的一对通孔内,使该发光元件与所述第一线圈电性连接,启动与第二线圈结构电性连接的交流电源,可通过所述线圈结构、金属棒与所述第二线圈以及电磁感应方法检测该发光元件是否失效。相对接触发光元件电极进行检测方法,利用电磁感应方法可快速检测每一发光元件,同时解决了检测过程中因直接接触发光元件造成的损坏发光元件的问题。
附图说明
图1为本发明实施例的发光元件的检测方法的流程图。
图2为本发明实施例的基板、线圈结构、金属棒与第二线圈的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造